[实用新型]一种低输入电容IGBT有效

申请号：	202020457300.3	申请日：	2020-04-01
公开（公告）号：	CN211743163U	公开（公告）日：	2020-10-23
发明（设计）人：	朱旭强	申请（专利权）人：	宜兴杰芯半导体有限公司
主分类号：	H01L29/06	分类号：	H01L29/06;H01L29/423;H01L29/739
代理公司：	北京思创大成知识产权代理有限公司 11614	代理人：	尹慧晶
地址：	214200 江苏省无***	国省代码：	江苏;32
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摘要：
搜索关键词：	一种输入电容 igbt
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【权利要求书】：

1.一种低输入电容的IGBT，其特征是它包括从下至上依次布置的背面P注入区(1)和N-区(2)，在N-区(2)的两侧具有P阱区(3)，在前述P阱区(3)的内部均布置有N+源区(4)，在两P阱区(3)和中部N-区(2)交界位置的上表面均布置有栅氧区(7)，在两栅氧区(7)的中部布置场氧区(6)，且前述场氧区(6)位于N-区(2)的上表面，两栅氧区(7)以及部分与对应栅氧区(7)相邻的场氧区(6)的上表面具有多晶栅区(5)。

2.根据权利要求1所述的低输入电容的IGBT，其特征是所述的N-区(2)采用熔单晶材料层。

3.根据权利要求1所述的低输入电容的IGBT，其特征是所述的场氧区(6)为13000A场氧区。

4.根据权利要求1所述的低输入电容的IGBT，其特征是所述的场氧区(6)的高度大于两侧栅氧区(7)的高度。

5.根据权利要求1所述的低输入电容的IGBT，其特征是两个N+源区(4)的间距长度为20um～35um。

6.根据权利要求1所述的低输入电容的IGBT，其特征是所述的场氧区(6)长度为8um～23um。

7.根据权利要求1所述的低输入电容的IGBT，其特征是两个多晶栅区(5)的间距长度为6um～21um。

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