[实用新型]一种低输入电容IGBT

说明书

本实用新型提供一种低输入电容的IGBT，它包括从下至上依次布置的背面P注入区和N‑区，在N‑区的两侧具有P阱区，在前述P阱区的内部均布置有N+源区，在两P阱区和中部N‑区交界位置的上表面均布置有栅氧区，在两栅氧区的中部布置场氧区，且前述场氧区位于N‑区的上表面，两栅氧区以及部分与对应栅氧区相邻的场氧区的上表面具有多晶栅区。本实用新型的IGBT通过在元胞区保留场氧化层并去掉该氧化层上的多晶层，保留了注入增强型优点的同时，输入电容降低了35％以上，使得芯片在相对较低的饱和压降下，提高了开关速度，降低了开关损耗。

技术领域

本实用新型涉及绝缘栅双极晶体管IGBT制造领域，更具体地，涉及一种低输入电容IGBT。

背景技术

绝缘栅双极晶体管(Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT)综合了电力晶体管(Giant Transistor—GTR)和电力场效应晶体管(Power MOSFET)的优点，具有良好的特性，应用领域很广泛；IGBT也是三端器件：具有栅极，集电极和发射极。

目前，1200V绝缘栅双极性晶体管(IGBT)常常采用平面NPT技术，为了获得较低的饱和压降，通常会采用注入增强型设计方案，这就要求平面栅多晶尺寸较大，通常会达到20um以上，因此会带来输入电容较大的弊端，同时也会使得开通时间变长，增加了开关损耗；目前，还没有很好地解决方案。

实用新型内容

本实用新型的目的是针对目前1200V绝缘栅双极性晶体管IGBT输入电容较大，使得开通时间变长，增加了开关损耗的问题，提出一种低输入电容IGBT，能够对IGBT的输入电容和饱和压降进行很好的折中。

本实用新型的技术方案是：

本实用新型提供一种低输入电容的IGBT，它包括从下至上依次布置的背面P注入区和N-区，在N-区的两侧具有P阱区，在前述P阱区的内部均布置有N+源区，在两P阱区和中部N-区交界位置的上表面均布置有栅氧区，在两栅氧区的中部布置场氧区，且前述场氧区位于N-区的上表面，两栅氧区以及部分与对应栅氧区相邻的场氧区的上表面具有多晶栅区。

进一步地，所述的N-区采用熔单晶材料层。

进一步地，所述的场氧区为13000A场氧区。

进一步地，所述的场氧区的高度大于两侧栅氧区的高度。

进一步地，两个N+源区的间距长度为20um～35um。

进一步地，所述的场氧区长度为8um～23um。

进一步地，两个多晶栅区的间距长度为6um～21um。

本实用新型的有益效果：

本实用新型的IGBT通过在元胞区保留场氧化层并去掉该氧化层上的多晶层，保留了注入增强型优点的同时，输入电容降低了35％以上，使得芯片在相对较低的饱和压降下，提高了开关速度，降低了开关损耗。

本实用新型的IGBT工艺流程与传统的IGBT工艺流程完全一致，不增加任何工艺制造成本。

本实用新型的其它特征和优点将在随后具体实施方式部分予以详细说明。

附图说明

通过结合附图对本实用新型示例性实施方式进行更详细的描述，本实用新型的上述以及其它目的、特征和优势将变得更加明显，其中，在本实用新型示例性实施方式中，相同的参考标号通常代表相同部件。

图1是传统平面NPT技术的IGBT元胞纵向结构示意图。

图2是本实用新型的低输入电容的IGBT纵向结构示意图。