[实用新型]一种LED器件

说明书

本申请公开了一种LED器件，包括基板；位于基板的上表面的线路层；通过固定部与线路层相连的LED芯片；分布于线路层的上表面、LED芯片的表面、固定部的表面的保护层，且保护层为二氧化硅层、氮化硅层、一氧化硅层、氮氧化硅层中的任一种或者任意组合叠加的保护层；封装部。分布在线路层的上表面、LED芯片的表面、固定部的表面的保护层不仅具有耐腐蚀性和低吸水性，并且还具有非常高的稳定性、低收缩性、高附着力，与封装部有很好的兼容性，提高LED器件的密封性和防潮性，解决金属迁移问题。

技术领域

本申请涉及LED技术领域，特别是涉及一种LED器件。

背景技术

发光二极管，简称LED，具有节能、环保、寿命长、体积小等特点，广泛应用于各种指示、显示、装饰、背光源、普通照明和城市夜景等领域。

目前LED器件在封装过程中，在焊线工艺结束在基板表面、LED芯片表面以及镀层表面喷涂一层三防漆或者硅氧烷类的防水层后再进行模压成型工艺。焊线是在高温状态下利用热超声波施压共振使导电线材和LED芯片上的电极焊接导通，LED芯片上的电极会受到破坏，由于防水层材料的致密性很难控制和附着力不稳定等，使得LED器件的气密性和防潮性不够，当有水汽进入LED器件后，焊接后的电极在水汽及负向电压作用下发生电解产生金属离子，即发生金属迁移，进而导致电极脱落，LED器件死灯。

因此，如何解决上述技术问题应是本领域技术人员重点关注的。

实用新型内容

本申请的目的是提供一种LED器件，以解决金属迁移问题，提升LED器件的气密性和防潮性。

为解决上述技术问题，本申请提供一种LED器件，包括：

基板；

位于所述基板的上表面的线路层；

通过固定部与所述线路层相连的LED芯片；

分布于所述线路层的上表面、所述LED芯片的表面、所述固定部的表面的保护层，且所述保护层为二氧化硅层、氮化硅层、一氧化硅层、氮氧化硅层中的任一种或者任意组合叠加的保护层；

封装部。

可选的，所述保护层的厚度取值范围为0.5微米至2微米，包括端点值。

可选的，所述LED芯片为上表面具有PV层的芯片。

可选的，当所述LED芯片为正装LED芯片时，还包括：

用于电连接所述LED芯片的电极和所述线路层的导线；

相应的，所述保护层分布于所述线路层的上表面、所述LED芯片的表面、所述固定部的表面、所述导线的表面。

可选的，所述封装部为硅胶封装部、改性环氧树脂胶封装部、环氧胶饼封装部中的任一种。

可选的，所述基板为陶瓷基板、氮化铝基板、BT板、金属板中的任一种。

本申请所提供的一种LED器件，包括基板；位于所述基板的上表面的线路层；通过固定部与所述线路层相连的LED芯片；用分布于所述线路层的上表面、所述LED芯片的表面、所述固定部的表面的保护层，且所述保护层为二氧化硅层、氮化硅层、一氧化硅层、氮氧化硅层中的任一种或者任意组合叠加的保护层；封装部。

可见，本申请中的LED器件除了包括基板、线路层、固定部、LED芯片、封装部外，还包括分布在线路层的上表面、LED芯片的表面、固定部的表面的保护层，保护层为二氧化硅层、氮化硅层、一氧化硅层、氮氧化硅层中的任一种或者任意组合叠加的保护层，该保护层不仅具有耐腐蚀性和低吸水性，并且还具有非常高的稳定性、低收缩性、高附着力，与封装部有很好的兼容性，提高LED器件的密封性和防潮性，解决金属迁移问题，有效保护LED芯片的电极，提升LED器件的寿命，另外该保护层还可以保护线路层不被污染。