[实用新型]一种硅湿法腐蚀槽大尺寸开口宽度的监控结构有效
申请号: | 202020484870.1 | 申请日: | 2020-04-07 |
公开(公告)号: | CN211743099U | 公开(公告)日: | 2020-10-23 |
发明(设计)人: | 汪鹏;徐建卫;徐艳 | 申请(专利权)人: | 上海矽安光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L23/544 |
代理公司: | 合肥方舟知识产权代理事务所(普通合伙) 34158 | 代理人: | 刘跃 |
地址: | 200030 上海市徐汇*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 湿法 腐蚀 尺寸 开口 宽度 监控 结构 | ||
1.一种硅湿法腐蚀槽大尺寸开口宽度的监控结构,包括:单晶硅寸底(1)以及若干个湿法腐蚀凹槽(2),其特征在于,若干个所述湿法腐蚀凹槽(2)开设在单晶硅寸底(1)上,所述湿法腐蚀凹槽(2)顶面为矩形,湿法腐蚀凹槽(2)与湿法腐蚀凹槽(2)的错位距离设置为1um,2um,3um……,(n-1)um,错位间距为所要监控的湿法腐蚀凹槽(2)开口宽度的实际偏差。
2.根据权利要求1所述的一种硅湿法腐蚀槽大尺寸开口宽度的监控结构,其特征在于,所述单晶硅寸底(1)的腐蚀面为100晶面。
3.根据权利要求1所述的一种硅湿法腐蚀槽大尺寸开口宽度的监控结构,其特征在于,所述湿法腐蚀凹槽(2)数量为n个,n≥3。
4.根据权利要求1所述的一种硅湿法腐蚀槽大尺寸开口宽度的监控结构,其特征在于,n个所述湿法腐蚀凹槽(2)的错位间距分别为1um,2um,3um…(n-1)um。
5.根据权利要求1所述的一种硅湿法腐蚀槽大尺寸开口宽度的监控结构,其特征在于,n个所述湿法腐蚀凹槽(2)按照错位间距由小到大依次递增的顺序排列。
6.根据权利要求1所述的一种硅湿法腐蚀槽大尺寸开口宽度的监控结构,其特征在于,n个所述湿法腐蚀凹槽(2)相互紧密排列。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造