[实用新型]一种硅湿法腐蚀槽大尺寸开口宽度的监控结构

说明书

本实用新型公开了一种硅湿法腐蚀槽大尺寸开口宽度的监控结构，包括：单晶硅寸底以及若干个湿法腐蚀凹槽，若干个所述湿法腐蚀凹槽开设在单晶硅寸底上，所述湿法腐蚀凹槽顶面为矩形；本实用新型涉及硅湿法腐蚀监控技术领域,该硅湿法腐蚀槽大尺寸开口宽度的监控结构，巧妙利用了硅各向异性湿法腐蚀的特点，可以根据产品腐蚀槽开口宽度的要求，设计出相应的监控图形，在形成产品腐蚀槽的同吋形成监控结构，通过监视监控结构，从而直观、便捷地监控产品腐蚀槽的腐开口宽度。对监控结构可使用普通常用显微镜进行监视，操作方便，且成本较低，并可达到较高的监控精度。

技术领域

本实用新型涉及硅湿法腐蚀监控技术领域，具体为一种硅湿法腐蚀槽大尺寸开口宽度的监控结构。

背景技术

硅光通信行业经常用到大尺寸开口V槽来定位器件，定位精度要求在um级别。V槽结构是用湿法腐蚀工艺。在湿法腐蚀工艺中，硅的各向异性湿法腐蚀工艺的使用已经非常普遍。在进行硅的各向异性湿法腐蚀工艺吋，硅的不同晶向具有不同的腐蚀速率，也即腐蚀速率与单晶硅的晶向密切相关,100面向下腐蚀用来确认腐蚀槽深度，111 面横向腐蚀用来确认腐蚀槽开口尺寸。另外硅的各向异性腐蚀速率还与腐蚀液的类型、配比、反应的温度等各个参数有关，所以腐蚀速率的波动可能较大这就为腐蚀开口宽度的精确控制带来了困难。在半导体器件中，器件结构尺寸的微小差异会对器件性能产生影响，因此，釆用有效手段对硅的湿法腐蚀槽开口宽度进行监控尤为重要。

目前硅湿法腐蚀槽开口宽度的监控通常有如下几种手段：1、电子显微镜：电子显微镜高精度是相对与小尺寸而言，对大尺寸量测误差会很大，无法精确测量；2、体式显微镜坐标位移进行测量：由于体式显微镜放大倍数有限，通常量测误差在5um以上，尤其是大尺寸开口宽度，准确率更低。而且，以上两种测量手段都需要在腐蚀过程中多次将腐蚀片取出，然后对所腐蚀的区域进行测量，从而监控腐蚀槽开口宽度，每次测量的操作步骤都需耗费大量吋间、人力，严重影响生产效率，鉴于此，针对上述问题深入研究，遂有本案产生。

实用新型内容

针对现有技术的不足，本实用新型提供了一种硅湿法腐蚀槽大尺寸开口宽度的监控结构，解决了现有的大尺寸量测误差会很大，无法精确测量的问题。

为实现以上目的，本实用新型通过以下技术方案予以实现：一种硅湿法腐蚀槽大尺寸开口宽度的监控结构，包括：单晶硅寸底以及若干个湿法腐蚀凹槽，若干个所述湿法腐蚀凹槽开设在单晶硅寸底上，所述湿法腐蚀凹槽顶面为矩形，湿法腐蚀凹槽与湿法腐蚀凹槽的错位距离设置为1um，2um，3um……,(n-1)um，错位间距为所要监控的湿法腐蚀凹槽开口宽度的实际偏差。

优选的，所述单晶硅寸底的腐蚀面为100晶面。

优选的，所述湿法腐蚀凹槽数量为n个，n≥3。

优选的，n个所述湿法腐蚀凹槽的错位间距分别为1um，2um， 3um…(n-1)um。

优选的，n个所述湿法腐蚀凹槽按照错位间距由小到大依次递增的顺序排列。

优选的，n个所述湿法腐蚀凹槽相互紧密排列。

有益效果

本实用新型提供了一种硅湿法腐蚀槽大尺寸开口宽度的监控结构。具备以下有益效果：该硅湿法腐蚀槽大尺寸开口宽度的监控结构，巧妙利用了硅各向异性湿法腐蚀的特点，可以根据产品腐蚀槽开口宽度的要求，设计出相应的监控图形，在形成产品腐蚀槽的同吋形成监控结构，通过监视监控结构，从而直观、便捷地监控产品腐蚀槽的开口宽度。对监控结构可使用普通常用显微镜进行监视，操作方便，且成本较低，并可达到较高的监控精度。

附图说明

图1为本发明所述一种硅湿法腐蚀槽大尺寸开口宽度的监控结构及监控方法的俯视剖视示意图。

图2为本发明所述一种硅湿法腐蚀槽大尺寸开口宽度的监控结构及监控方法的主视局部剖视示意图。