[实用新型]刻蚀上下料装置有效
申请号: | 202020487557.3 | 申请日: | 2020-04-03 |
公开(公告)号: | CN211788946U | 公开(公告)日: | 2020-10-27 |
发明(设计)人: | 季徐华;杨海波 | 申请(专利权)人: | 无锡森顿智能科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/67;H01L31/18 |
代理公司: | 无锡华源专利商标事务所(普通合伙) 32228 | 代理人: | 聂启新 |
地址: | 214000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 刻蚀 上下 装置 | ||
1.一种刻蚀上下料装置,其整体呈U型对称结构的生产线布局,包括U型结构的机架(1),机架(1)两侧壁内对称设置有花篮上料位(2),其特征在于:所述机架(1)中部安装有转向皮带机构(7),位于转向皮带机构(7)两侧的机架(1)上对称安装有中间皮带机构(6),两个中间皮带机构(6)外侧的机架(1)上安装有伸缩皮带机构(4),两个伸缩皮带机构(4)外侧与两个花篮上料位(2)之间分别安装有升降机构(3),两个升降机构(3)分列于机架(1)的两个拐角处;所述中间皮带机构(6)两侧安装有缓存机构(5);
所述转向皮带机构(7)的结构为:包括多组并列的硅片输送带(71),多组硅片输送带(71)端头共同安装有转向输送带(72),转向输送带(72)外侧沿着长度方向安装有限位机构(73);所述转向输送带(72)与中间皮带机构(6)传动方向一致并相互衔接,硅片输送带(71)的传动方向与转向输送带(72)的传动方向相互垂直。
2.如权利要求1所述的刻蚀上下料装置,其特征在于:所述硅片输送带(71)包括首尾相衔接的多组输送带,每组输送带由对应的输送电机(711)带动传动。
3.如权利要求1所述的刻蚀上下料装置,其特征在于:所述转向输送带(72)的结构为:包括安装于机架(1)上的升降电机(721),升降电机(721)的输出端朝上并在端部安装有U型结构的升降座(723),升降座(723)上部开口处的两侧分别固装有长支板(724),两个长支板(724)底部与机架(1)之间安装有导柱(722);两个长支板(724)上沿着长度方向依次安装有多组小传动皮带(726),单组小传动皮带(726)均由对应的小传动电机(725)驱动。
4.如权利要求1所述的刻蚀上下料装置,其特征在于:所述花篮上料位(2)包括上下间隔平行设置的两组上料输送带(22),两组上料输送带(22)的传动方向相反,单组上料输送带(22)均由对应的上料电机(21)驱动。
5.如权利要求4所述的刻蚀上下料装置,其特征在于:一组所述上料输送带(22)用于装满硅片(9)的花篮(8)的上料,另一组上料输送带(22)用于空的花篮(8)的下料。
6.如权利要求1所述的刻蚀上下料装置,其特征在于:所述位于花篮上料位(2)端头外部的升降机构(3)的结构为:包括与机架(1)固装的升降模组一(31),升降模组一(31)上安装有沿其升降的升降块(32),升降块(32)下边缘固装有与其外侧面垂直的支撑块(35),支撑块(35)上安装有升降输送带(36);位于支撑块(35)上方的升降块(32)上安装有小电机(33),小电机(33)输出端经小皮带传动机构(34)带动升降输送带(36)传动;所述升降块(32)上边缘向外延伸并在端部安装有压料气缸(37),压料气缸(37)输出端向下并在端部安装有压料板(38),所述压料板(38)位于升降输送带(36)正上方。
7.如权利要求1所述的刻蚀上下料装置,其特征在于:所述缓存机构(5)的结构为:包括固装于机架(1)的升降模组二(51),升降模组二(51)上安装有沿其升降的支座(52),支座(52)顶面的两边缘对称固装有缓存块(53),两个缓存块(53)相对的内侧面上均开有对应的卡槽(531),两个缓存块(53)分列于中间皮带机构(6)的两侧。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造