[实用新型]半导体工业的供液系统有效
| 申请号： | 202020487570.9 | 申请日： | 2020-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN211957601U | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 尹安和 | 申请（专利权）人： | 芯米（厦门）半导体设备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;F17D1/02;F17D1/08;F17D3/01;F17D5/00 |
| 代理公司： | 厦门仕诚联合知识产权代理事务所(普通合伙) 35227 | 代理人： | 吴圳添 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市火炬*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 工业 系统 | ||
1.一种半导体工业的供液系统，其特征在于，包括：
前端三通阀，所述前端三通阀的输入端用于连接前段液体供应管路；
主缓冲容器，所述主缓冲容器的输入端连接所述前端三通阀的第一输出端；
辅缓冲容器，所述辅缓冲容器的输入端连接所述前端三通阀的第二输出端；
后端三通阀，所述后端三通阀的第一输入端连接所述主缓冲容器的输出端，所述后端三通阀的第二输入端连接所述辅缓冲容器的输出端；
使用端控制阀，所述使用端控制阀的输入端连接所述后端三通阀的输出端；
第一主液体传感器，设置于所述主缓冲容器的顶部液位线下边缘；
第二主液体传感器，设置于所述主缓冲容器的底部液位线上边缘；
第一辅液体传感器，设置于所述辅缓冲容器的顶部液位线下边缘；
第二辅液体传感器，设置于所述辅缓冲容器的底部液位线上边缘。
2.一种半导体工业的供液系统，其特征在于，包括：
前端三通阀，所述前端三通阀的输入端用于连接前段液体供应管路；
主缓冲容器，所述主缓冲容器的输入端连接所述前端三通阀的第一输出端；
辅缓冲容器，所述辅缓冲容器的输入端连接所述前端三通阀的第二输出端；
主后端控制阀，所述主后端控制阀的输入端连接所述主缓冲容器的输出端；
辅后端控制阀，所述辅后端控制阀的输入端连接所述辅缓冲容器的输出端；
使用端控制阀，所述使用端控制阀的输入端连接所述主后端控制阀的输出端和所述辅后端控制阀的输出端；
第一主液体传感器，设置于所述主缓冲容器的顶部液位线下边缘；
第二主液体传感器，设置于所述主缓冲容器的底部液位线上边缘；
第一辅液体传感器，设置于所述辅缓冲容器的顶部液位线下边缘；
第二辅液体传感器，设置于所述辅缓冲容器的底部液位线上边缘。
3.一种半导体工业的供液系统，其特征在于，包括：
主前端控制阀，所述主前端控制阀的输入端用于连接第一前段液体供应管路；
辅前端控制阀，所述辅前端控制阀的输入端用于连接第二前段液体供应管路；
主缓冲容器，所述主缓冲容器的输入端连接所述主前端控制阀的输出端；
辅缓冲容器，所述辅缓冲容器的输入端连接所述辅前端控制阀的输出端；
后端三通阀，所述后端三通阀的第一输入端连接所述主缓冲容器的输出端，所述后端三通阀的第二输入端连接所述辅缓冲容器的输出端；
使用端控制阀，所述使用端控制阀的输入端连接所述后端三通阀的输出端；
第一主液体传感器，设置于所述主缓冲容器的顶部液位线下边缘；
第二主液体传感器，设置于所述主缓冲容器的底部液位线上边缘；
第一辅液体传感器，设置于所述辅缓冲容器的顶部液位线下边缘；
第二辅液体传感器，设置于所述辅缓冲容器的底部液位线上边缘。
4.一种半导体工业的供液系统，其特征在于，包括：
主前端控制阀，所述主前端控制阀的输入端用于连接第一前段液体供应管路；
辅前端控制阀，所述辅前端控制阀的输入端用于连接第二前段液体供应管路；
主缓冲容器，所述主缓冲容器的输入端连接所述主前端控制阀的输出端；
辅缓冲容器，所述辅缓冲容器的输入端连接所述辅前端控制阀的输出端；
主后端控制阀，所述主后端控制阀的输入端连接所述主缓冲容器的输出端；
辅后端控制阀，所述辅后端控制阀的输入端连接所述辅缓冲容器的输出端；
使用端控制阀，所述使用端控制阀的输入端连接所述主后端控制阀的输出端和所述辅后端控制阀的输出端；
第一主液体传感器，设置于所述主缓冲容器的顶部液位线下边缘；
第二主液体传感器，设置于所述主缓冲容器的底部液位线上边缘；
第一辅液体传感器，设置于所述辅缓冲容器的顶部液位线下边缘；
第二辅液体传感器，设置于所述辅缓冲容器的底部液位线上边缘。
5.如权利要求1至4任意一项所述的半导体工业的供液系统，其特征在于，还包括：
主排气装置，所述主排气装置连接在所述主缓冲容器的顶部；
辅排气装置，所述辅排气装置连接在所述辅缓冲容器的顶部。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
