[实用新型]半导体工业的供液系统有效
申请号: | 202020487570.9 | 申请日: | 2020-04-07 |
公开(公告)号: | CN211957601U | 公开(公告)日: | 2020-11-17 |
发明(设计)人: | 尹安和 | 申请(专利权)人: | 芯米(厦门)半导体设备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;F17D1/02;F17D1/08;F17D3/01;F17D5/00 |
代理公司: | 厦门仕诚联合知识产权代理事务所(普通合伙) 35227 | 代理人: | 吴圳添 |
地址: | 361000 福建省厦门市火炬*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 工业 系统 | ||
一种半导体工业的供液系统,包括:前端三通阀,输入端用于连接前段液体供应管路;主缓冲容器,输入端连接所述前端三通阀的第一输出端;辅缓冲容器,输入端连接所述前端三通阀的第二输出端;后端三通阀,第一输入端连接所述主缓冲容器的输出端,第二输入端连接所述辅缓冲容器的输出端;使用端控制阀;第一主液体传感器,设置于所述主缓冲容器的顶部液位线下边缘;第二主液体传感器,设置于所述主缓冲容器的底部液位线上边缘;第一辅液体传感器,设置于所述辅缓冲容器的顶部液位线下边缘;第二辅液体传感器,设置于所述辅缓冲容器的底部液位线上边缘。所述半导体工业的供液系统在保证供液不停机的情况下,提高系统安全保障作用。
技术领域
本实用新型涉及半导体制造领域,尤其涉及一种半导体工业的供液系统。
背景技术
目前,半导体行业的晶片湿法处理设备都涉及到化学液的供给,而随着设备的自动化程度和功能越来越完善,相应的化学液供给系统也变得越来越庞大和复杂。同时,在半导体制造装置的药液使用工序中,例如为了将光刻胶等药液按预定量涂布到半导体晶片上,均需要相应的供液系统能够将定量药液供给特定的使用位置和场合。
在药液供给系统中,许多药液本身通常已经十分昂贵,而相应的供液装置不仅昂贵且结构复杂。因此,如何保证供液系统精确地提供液体而不浪费药液,同时避免液体对其它装置的损害,成为业界共同关心的问题。
实用新型内容
本实用新型解决的问题是,提供一种化学液供给系统,以实现更好的供液功能。
为解决上述问题,本实用新型提供了一种半导体工业的供液系统,包括:前端三通阀,所述前端三通阀的输入端用于连接前段液体供应管路;主缓冲容器,所述主缓冲容器的输入端连接所述前端三通阀的第一输出端;辅缓冲容器,所述辅缓冲容器的输入端连接所述前端三通阀的第二输出端;后端三通阀,所述后端三通阀的第一输入端连接所述主缓冲容器的输出端,所述后端三通阀的第二输入端连接所述辅缓冲容器的输出端;使用端控制阀,所述使用端控制阀的输入端连接所述后端三通阀的输出端;第一主液体传感器,设置于所述主缓冲容器的顶部液位线下边缘;第二主液体传感器,设置于所述主缓冲容器的底部液位线上边缘;第一辅液体传感器,设置于所述辅缓冲容器的顶部液位线下边缘;第二辅液体传感器,设置于所述辅缓冲容器的底部液位线上边缘。
为解决上述问题,本实用新型还提供了另一种半导体工业的供液系统,包括:前端三通阀,所述前端三通阀的输入端用于连接前段液体供应管路;主缓冲容器,所述主缓冲容器的输入端连接所述前端三通阀的第一输出端;辅缓冲容器,所述辅缓冲容器的输入端连接所述前端三通阀的第二输出端;主后端控制阀,所述主后端控制阀的输入端连接所述主缓冲容器的输出端;辅后端控制阀,所述辅后端控制阀的输入端连接所述辅缓冲容器的输出端;使用端控制阀,所述使用端控制阀的输入端连接所述主后端控制阀的输出端和所述辅后端控制阀的输出端;第一主液体传感器,设置于所述主缓冲容器的顶部液位线下边缘;第二主液体传感器,设置于所述主缓冲容器的底部液位线上边缘;第一辅液体传感器,设置于所述辅缓冲容器的顶部液位线下边缘;第二辅液体传感器,设置于所述辅缓冲容器的底部液位线上边缘。
为解决上述问题,本实用新型还提供了另一种半导体工业的供液系统,包括:主前端控制阀,所述主前端控制阀的输入端用于连接第一前段液体供应管路;辅前端控制阀,所述辅前端控制阀的输入端用于连接第二前段液体供应管路;主缓冲容器,所述主缓冲容器的输入端连接所述主前端控制阀的输出端;辅缓冲容器,所述辅缓冲容器的输入端连接所述辅前端控制阀的输出端;后端三通阀,所述后端三通阀的第一输入端连接所述主缓冲容器的输出端,所述后端三通阀的第二输入端连接所述辅缓冲容器的输出端;使用端控制阀,所述使用端控制阀的输入端连接所述后端三通阀的输出端;第一主液体传感器,设置于所述主缓冲容器的顶部液位线下边缘;第二主液体传感器,设置于所述主缓冲容器的底部液位线上边缘;第一辅液体传感器,设置于所述辅缓冲容器的顶部液位线下边缘;第二辅液体传感器,设置于所述辅缓冲容器的底部液位线上边缘。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于芯米(厦门)半导体设备有限公司,未经芯米(厦门)半导体设备有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202020487570.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种树木修剪装置
- 下一篇:一种可除尘的安防监控装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造