[实用新型]一种延长MOCVD设备反应室维护周期的组件

说明书

本实用新型公开了一种延长MOCVD设备反应室维护周期的组件，包括星形盖板，所述星形盖板中间开设有第一圆孔，所述第一圆孔内上端设置有盖板，所述盖板与星形盖板为一体化结构，盖板中间开设有第二圆孔，所述第一圆孔内下端安装有压盘，所述压盘中间为圆形凸块，所述圆形凸块间隙配合第二圆孔，所述第二圆孔的直径大于圆形凸块，本实用新型将石墨材质星形盖板和盖板设计为一体化结构，能够避免两者受热挤压，此外，盖板中的第二圆孔与压盘中的圆形凸块之间存在一定间隙，可以避免盖板升温后与内侧的压盘接触、挤压，使盖板在实际生产中重复使用的次数大大增加，从而延长了水平式MOCVD的维护周期。

技术领域

本实用新型涉及半导体生产设备领域，更具体地说是一种延长MOCVD设备反应室维护周期的组件。

背景技术

MOCVD设备由于具有可以生长纯度很高的材料、外延层大面积均匀性良好、适合生长各种异质结构材料、易于大规模生产等优点被广泛应用于半导体制造，如发光二极管、太阳能电池和激光器等领域。

目前市场上MOCVD设备反应室结构主要有水平式和立式，水平式反应室采用的是托盘低速旋转加小盘自转的方式，相对于立式反应室的托盘高速旋转方式，具有同一炉外延片片均匀性好、用气量少、工艺参数可调性强等优点，因此更适合生长DFB、VCSEL等外延结构，但水平式反应室维护周期相对立式设备较短，如生产太阳能电池时，水平式反应室一般生产约2～3天就需维护，而立式反应室维护周期则在1个月左右，水平式反应室需要更换Ceiling(托盘)和Covering(盖板)，由于Ceiling使用温度130～190℃较Covering使用温度400～750℃低，因此Ceiling使用周期为5～7天，远远大于Covering的2～3天使用周期，所以延长MOCVD设备反应室维护周期的瓶颈在于Covering的维护周期，因此，对于应用水平式MOCVD设备的外延片生产而言，延长MOCVD设备反应室的Covering维护周期对于提高产能至关重要。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种延长MOCVD设备反应室维护周期的组件，以解决背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种延长MOCVD设备反应室维护周期的组件，包括托盘、星形盖板、盖板和压盘，所述托盘上表面设置有圆凸起，所述星形盖板下表面设置有圆凹槽，所述圆凸起间隙配合圆凹槽，所述星形盖板中间开设有第一圆孔，所述第一圆孔内上端设置有盖板，所述盖板与星形盖板为一体化结构，盖板中间开设有第二圆孔，所述第一圆孔内下端安装有压盘，所述压盘中间为圆形凸块，所述圆形凸块间隙配合第二圆孔。

在本实施例中：所述星形盖板的直径为377.5mm～378.5mm，厚度为4.20mm～4.30mm，表层粗糙度为1.5μm～2.5μm，所述第一圆孔的直径为289.7.0mm～290.7mm。

在本实施例中：所述盖板的直径为289.7mm～290.7mm，厚度为1.4mm～1.5mm，表层粗糙度为1.5μm～2.5μm，所述第二圆孔的直径为189.7mm～190.7mm。

在本实施例中：所述压盘的直径为289.5mm～290.5mm，厚度为3.15mm～3.25mm，表层粗糙度为1.5μm～2.5μm，所述圆形凸块的直径为188.7mm～189.7mm，厚度为1.4mm～1.5mm。

在本实施例中：所述圆凹槽的数量有三组，沿着第一圆孔的周向均匀分布。

在本实施例中：所述盖板与星形盖板的制成材料为石墨。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：(1)将盖板使用材质由石英替换为石墨材质，石墨材料相比石英材料具有更高的热导率、更低的弹性模量、高温时更高的抗张强度等，相同形状的石墨材料相比石英具有更加优秀的抗热震性能，将盖板使用材质由石英替换为石墨材质，能明显提升盖板的抗热震性能，使盖板在实际生产中重复使用的次数大大增加，从而延长水平式MOCVD的维护周期；