[实用新型]一种提高定位精度的叠瓦电池结构

权利要求书

1.一种提高定位精度的叠瓦电池结构，其特征在于，包括硅片（1）和定位点，所述硅片（1）分为若干个单片区，相邻的两个单片区之间设置有由激光雕刻的凹槽，所述单片区上表面均依次印制有电极层（2）和背场层（3），所述电极层（2）位于单片区的一侧且呈长条状，所述背场层（3）的形状呈矩形，背场层（3）的一端与电极层（2）层叠设置，单片区设置有不少于两个的定位点，所述定位点包括背场定位点（4），所述背场定位点（4）位于背场层（3）内且处于背场层（3）不与电极层（2）层叠的区域，背场定位点（4）为镂空点，背场定位点（4）的直径值为1.1mm-1.5mm。

2.根据权利要求1所述的一种提高定位精度的叠瓦电池结构，其特征在于，所述定位点还包括随电极层（2）同时印制的电极定位点（5），所述电极定位点（5）位于背场定位点（4）内且与背场定位点（4）同心设置，电极定位点（5）的直径值为0.5mm-0.7mm。

3.根据权利要求2所述的一种提高定位精度的叠瓦电池结构，其特征在于，所述电极定位点（5）的厚度值、电极层（2）的厚度值和背场层（3）的厚度值均相等。

4.根据权利要求3所述的一种提高定位精度的叠瓦电池结构，其特征在于，所述电极定位点（5）的厚度值为18μm-22μm。

5.根据权利要求1或2所述的一种提高定位精度的叠瓦电池结构，其特征在于，所述单片区内定位点的数量为两个，两个定位点分别位于背场层（3）上下两端的中心处。

6.根据权利要求1或2所述的一种提高定位精度的叠瓦电池结构，其特征在于，所述单片区内定位点的数量为两个，两个定位点分别位于背场层（3）的两个对角处。