[实用新型]一种提高定位精度的叠瓦电池结构有效
申请号: | 202020492005.1 | 申请日: | 2020-04-07 |
公开(公告)号: | CN211480066U | 公开(公告)日: | 2020-09-11 |
发明(设计)人: | 李璐;彭平;杨雄磊;陈庆发;夏中高;李旭杰 | 申请(专利权)人: | 平煤隆基新能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/05 | 分类号: | H01L31/05;H01L31/18 |
代理公司: | 郑州隆盛专利代理事务所(普通合伙) 41143 | 代理人: | 项丽丽 |
地址: | 461000 河南省许*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 提高 定位 精度 电池 结构 | ||
本实用新型涉及一种提高定位精度的叠瓦电池结构,包括硅片和定位点,所述硅片分为若干个单片区,相邻的两个单片区之间设置有由激光雕刻的凹槽,所述单片区上表面均依次印制有电极层和背场层,所述电极层位于单片区的一侧且呈长条状,所述背场层的形状呈矩形,背场层的一端与电极层层叠设置,单片区设置有不少于两个的定位点,所述定位点包括背场定位点,所述背场定位点位于背场层内且处于背场层不与电极层层叠的区域,背场定位点为镂空点,背场定位点的直径值为1.1mm‑1.5mm。本实用新型的目的在于解决或至少减轻定位叠片时会出现较高比例的层叠偏移现象的问题,提供一种提高定位精度的叠瓦电池结构。
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池制造技术领域,具体涉及一种提高定位精度的叠瓦电池结构。
背景技术
叠瓦电池铝背场是太阳电池制备中,丝网印刷工序二道印刷而成,目前单面叠瓦为五分片电池,电池在组件端经过激光划线、印刷导电胶、掰片、叠片、前EL及外观检测、层叠、后EL检测、安装接线盒、装框、固化、电性能测试等工序,背电极上印刷导电胶后,沿虚线位置掰为电池小片,再通过轮廓定位进行叠片。掰开过程会让电池片拉扯甚至弯曲,电池片有可能不沿着事先刻绘好的位置裂开,电池片的轮廓会发生变形,在依据电池片轮廓进行定位叠片时会出现较高比例的层叠偏移现象,导致外观露白,严重影响组件合格率。
公开号为CN110828615A的专利文件中公开了一种叠瓦电池串的制作方法,在分裂过程中,采用激光光源在完整未分裂的整片电池片上沿槽线处再次进行激光扫描,使得沿槽线的裂纹在整片电池片厚度方向加深裂纹直至整片电池片底面而完成单小片电池片分裂,随后激光光源沿整片电池片上其他槽线逐一多次进行激光分裂,直至整片电池片被分裂成多张小片电池片,从而减少电池片分离时产生的变形,达到降低定位难度的目的。但是采用此方法要添置新的激光切割装置,原有的掰片机也处于闲置状态,大大增加了生产成本。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服现有技术中的不足,解决或至少减轻定位叠片时会出现较高比例的层叠偏移现象的问题,提供一种提高定位精度的叠瓦电池结构。
为了实现以上目的,本实用新型采用的技术方案是:
一种提高定位精度的叠瓦电池结构,包括硅片和定位点,所述硅片分为若干个单片区,相邻的两个单片区之间设置有由激光雕刻的凹槽,所述单片区上表面均依次印制有电极层和背场层,所述电极层位于单片区的一侧且呈长条状,所述背场层的形状呈矩形,背场层的一端与电极层层叠设置,单片区设置有不少于两个的定位点,所述定位点包括背场定位点,所述背场定位点位于背场层内且处于背场层不与电极层层叠的区域,背场定位点为镂空点,背场定位点的直径值为1.1mm-1.5mm。
为了进一步实现本实用新型,可优先选用以下技术方案:
优选的,所述定位点还包括随电极层同时印制的电极定位点,所述电极定位点位于背场定位点内且与背场定位点同心设置,电极定位点的直径值为0.5mm-0.7mm。
优选的,所述电极定位点的厚度值、电极层的厚度值和背场层的厚度值均相等。
优选的,所述电极定位点的厚度值为18μm-22μm。
优选的,所述单片区内定位点的数量为两个,两个定位点分别位于背场层上下两端的中心处。
优选的,所述单片区内定位点的数量为两个,两个定位点分别位于背场层的两个对角处。
通过上述技术方案,本实用新型的有益效果是:
本实用新型通过在每个单片区设置定位点,叠片时,叠片机的相机通过定位点对单个电池片进行定位,实时测量叠片精度,及时对机械手进行补偿,持续稳定的实现精度控制,实现精确地抓取定位点,达到精准定位,避免层叠偏移,从而提高叠瓦组件质量。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的