[实用新型]一种小型化梯型晶体滤波器

权利要求书

1.一种小型化梯型晶体滤波器，包括：串联晶片和并联晶片，其特征在于，所述串联晶片上设置有至少两个性能参数相同的高频晶体谐振器，每两个高频晶体谐振器之间间隔一定距离，且串联晶片上的高频晶体谐振器通过串联连接，所述并联晶片上设置有至少一个性能参数相同的低频晶体谐振器，每两个低频晶体谐振器之间间隔一定距离，且并联晶片上的低频晶体谐振器通过并联连接，高频晶体谐振器与低频晶体谐振器的连接关系包括：每串联的两个高频晶体谐振器之间并联一个低频晶体谐振器，低频晶体谐振器的另一端接地。

2.根据权利要求1所述的一种小型化梯型晶体滤波器，其特征在于，所述高频晶体谐振器包括一对金属电极，且金属电极沉积在串联晶片上沿长度方向的中轴线处，一对金属电极为两个大小相等的圆形或矩形电极，分别为上电极和下电极，上电极和下电极分别沉积在串联晶片的上表面和下表面且位置相对应，每个上电极引出有一条电极轨道到晶片边缘且与晶片边缘形成上端连接点，上电极的电极轨道引出方向与串联晶片宽度的中轴线方向相同；每个下电极引出有一条电极轨道到晶片边缘且与晶片边缘形成高频晶体谐振器的下端连接点，下电极的电极轨道的引出方向与上电极的电极轨道引出方向相反。

3.根据权利要求1所述的一种小型化梯型晶体滤波器，其特征在于，所述低频晶体谐振器包括一对金属电极，且金属电极沉积在并联晶片上沿长度方向的中轴线处，一对金属电极为两个大小相等的圆形或矩形电极，分别为上电极和下电极，上电极和下电极分别沉积在并联晶片的上表面和下表面且位置相对应，每个上电极引出有一条电极轨道到晶片边缘且与晶片边缘形成上端连接点，上电极的电极轨道引出方向与并联晶片宽度的中轴线方向相同；每个下电极引出有一条电极轨道到晶片边缘且与晶片边缘形成低频晶体谐振器的下端连接点，下电极的电极轨道的引出方向与上电极的电极轨道引出方向相反。

4.根据权利要求1所述的一种小型化梯型晶体滤波器，其特征在于，串联晶片上高频晶体谐振器的连接方式包括：第1高频晶体谐振器的下端连接点作为输入端，连接输入负载，从输入端开始依次串联有第1高频晶体谐振器、第2高频晶体谐振器、第3高频晶体谐振器，……，第N个高频晶体谐振器，若N为偶数，将第N个高频晶体谐振器的上端连接点作为串联晶片的输出端连接输出负载；若N为奇数，将第N高频晶体谐振器的下端连接点作为串联晶片的输出端，连接输出负载。

5.根据权利要求1所述的一种小型化梯型晶体滤波器，其特征在于，并联晶片上低频晶体谐振器的排布方式具体包括：从第1低频晶体谐振器开始，从左到右依次为第2低频晶体谐振器、第3低频晶体谐振器……第N-1个低频晶体谐振器。

6.根据权利要求1所述的一种小型化梯型晶体滤波器，其特征在于，串联晶片的第1高频晶体谐振器上端连接点与输入负载连接，下端连接点与第2高频晶体谐振器下端连接点串联连接，形成第1个串联连接点，第2高频晶体谐振器上端连接点与第3高频晶体谐振器串联下端连接点相连，形成第2个串联连接点,……以此类推，在每两个高频晶体谐振器之间形成一个串联连接点，共形成N-1个串联连接点。

7.根据权利要求1所述的一种小型化梯型晶体滤波器，其特征在于，串联晶片与并联晶片的连接方式包括：第1低频晶体谐振器的上/下端连接点与串联晶片的第1个串联连接点相连，另一个端连接点接地，第2低频晶体谐振器的上/下电极与串联晶片的第2个串联连接点相连，另一端连接点接地，以此方式类推，第N-1个低频晶体谐振器的上/下端连接点与串联晶片的第N-1个串联连接点相连，另一个端连接点接地。