[实用新型]一种小型化梯型晶体滤波器

说明书

本专利涉及晶体滤波器技术领域，具体涉及一种小型化梯型晶体滤波器，包括：串联晶片和并联晶片，所述串联晶片上设置有串联的多个性能参数相同的高频晶体谐振器，所述并联晶片上设置有并联的多个性能参数相同的低频晶体谐振器，高频晶体谐振器与低频晶体谐振器的连接关系包括：每串联的两个高频晶体谐振器之间并联一个低频晶体谐振器，低频晶体谐振器另一端接地。本专利将所有的高频晶体谐振器集成到一个晶片上，将所有的低频晶体谐振器集成到另一个晶片上，大大减小了体积；由于高频晶体谐振器和低频晶体谐振器的电性能参数相同，便于规模化生产。

技术领域

本实用新型涉及晶体滤波器技术领域，具体涉及一种小型化梯型晶体滤波器。

背景技术

晶体滤波器具有相对带宽窄、温度性能好等特点，是通信、导航等电子设备中的关键元器件。按电路设计分类，晶体滤波器分为单片式晶体滤波器和分立式晶体滤波器，分立式晶体滤波器又分为桥型晶体滤波器和梯型晶体滤波器等。

梯型滤波电路电路结构简单，只有高频晶体谐振器和低频晶体谐振器，没有电感，且高频晶体谐振器电性能参数相同，低频晶体谐振器的电性能参数也相同，结构简单，设计灵活，容易加工。但是一个基本梯型滤波电路所需要的晶体谐振器数量为桥型电路的2倍，且在实际应用中，为了提高矩型度和阻带抑制，必须将多个基本梯型滤波电路级联使用，这进一步造成了电路体积较大，所以限制了梯型滤波器电路在实际的应用。

实用新型内容

为了解决上述问题，本实用新型提供一种小型化梯型晶体滤波器，能够减少电路的元件使用数量和减小电路体积。

一种小型化梯型晶体滤波器，包括：串联晶片和并联晶片，所述串联晶片上设置有至少两个性能参数相同的高频晶体谐振器，每两个高频晶体谐振器之间间隔一定距离，且串联晶片上的高频晶体谐振器通过串联连接，所述并联晶片上设置有至少一个性能参数相同的低频晶体谐振器，每两个低频晶体谐振器之间间隔一定距离，且并联晶片上的低频晶体谐振器通过并联连接，高频晶体谐振器与低频晶体谐振器的连接关系包括：每串联的两个高频晶体谐振器之间并联一个低频晶体谐振器，低频晶体谐振器的另一端接地。

进一步的，所述高频晶体谐振器包括一对金属电极，且金属电极沉积在串联晶片上沿长度方向的中轴线处，一对金属电极为两个大小相等的圆形或矩形电极，分别为上电极和下电极，上电极和下电极分别沉积在串联晶片的上表面和下表面且位置相对应，每个上电极引出有一条电极轨道到晶片边缘且与晶片边缘形成上端连接点，上电极的电极轨道引出方向与串联晶片宽度的中轴线方向相同；每个下电极引出有一条电极轨道到晶片边缘且与晶片边缘形成高频晶体谐振器的下端连接点，下电极的电极轨道的引出方向与上电极的电极轨道引出方向相反。

进一步的，所述低频晶体谐振器包括一对金属电极，且金属电极沉积在并联晶片上沿长度方向的中轴线处，一对金属电极为两个大小相等的圆形或矩形电极，分别为上电极和下电极，上电极和下电极分别沉积在并联晶片的上表面和下表面且位置相对应，每个上电极引出有一条电极轨道到晶片边缘且与晶片边缘形成上端连接点，上电极的电极轨道引出方向与并联晶片宽度的中轴线方向相同；每个下电极引出有一条电极轨道到晶片边缘且与晶片边缘形成低频晶体谐振器的下端连接点，下电极的电极轨道的引出方向与上电极的电极轨道引出方向相反。

进一步的，串联晶片上高频晶体谐振器的总体连接方式包括：第1高频晶体谐振器的下端连接点作为输入端，连接输入负载，从输入端开始依次串联有第1高频晶体谐振器、第2高频晶体谐振器、第3高频晶体谐振器，……，第N 高频晶体谐振器，若N为偶数，将第N高频晶体谐振器的上端连接点作为串联晶片的输出端连接输出负载；若N为奇数，将第N高频晶体谐振器的下端连接点作为串联晶片的输出端，连接输出负载。