[实用新型]一种半导体加工设备

说明书

本实用新型公开一种半导体加工设备，用于对晶圆进行加工，所公开的半导体加工设备包括：真空互锁腔室；多个设备主体，设备主体包括传输平台，在传输平台的周向上排布有至少两个反应腔室；暂存通道，任意相邻的两个设备主体通过暂存通道相连通，暂存通道用于暂存晶圆；多个设备主体中的一者与真空互锁腔室相连，传输平台可在真空互锁腔室与反应腔室之间、暂存通道与真空互锁腔室之间以及暂存通道与反应腔室之间传送晶圆。上述方案能够解决半导体加工设备产能较低的问题。

技术领域

本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体加工设备。

背景技术

ALD(atomic layer deposition，原子层沉积)工艺和CVD(chemical vapordeposition，化学气相沉积)工艺为较为广泛地应用于半导体加工领域的工艺。但是，在半导体加工设备对结构较难的孔洞、沟槽或同种工艺且工艺时间较长(例如需要沉积膜厚度要求较厚的薄膜(大于100A))的晶圆进行加工时，ALD工艺或CVD工艺的工艺时间较长，且产出率较低，导致半导体的加工时间较长，从而严重影响半导体加工设备的产能，导致半导体设备的产能较低。

实用新型内容

本实用新型公开一种半导体加工设备，能够解决半导体加工设备产能较低的问题。

为了解决上述问题，本实用新型采用下述技术方案：

本实用新型实施例公开一种半导体加工设备，用于对晶圆进行加工，所述半导体加工设备包括：

真空互锁腔室；

多个设备主体，所述设备主体包括传输平台，在所述传输平台的周向上排布有至少两个反应腔室；

暂存通道，任意相邻的两个所述设备主体通过所述暂存通道相连通，所述暂存通道用于暂存所述晶圆；其中：

多个所述设备主体中的一者与所述真空互锁腔室相连，所述传输平台可在所述真空互锁腔室与所述反应腔室之间、所述暂存通道与所述真空互锁腔室之间以及所述暂存通道与所述反应腔室之间传送所述晶圆。

本实用新型采用的技术方案能够达到以下有益效果：

本实用新型实施例公开的半导体加工设备中，通过调整半导体加工设备的布局方式，以使多个设备主体叠加组合，且每个设备主体具有至少两个反应腔室，此种布局的半导体加工设备，能够有效地增加反应腔室的数量，从而该半导体加工设备具有较多的反应腔室，进而提高该半导体加工设备的产能，提高该半导体加工设备的产品竞争力。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或背景技术中的技术方案，下面将对实施例或背景技术中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型实施例公开的半导体加工设备的示意图；

图2为本实用新型另一实施例公开的半导体加工设备的示意图。

附图标记说明：

100-真空互锁腔室、110-暂存台；

200-设备主体、210-传输平台、220-反应腔室、230-传送机构；

300-暂存通道、310-晶圆放置台；

400-半导体设备前端模块；

500-晶圆装载埠。

具体实施方式