[实用新型]半导体装置有效

专利信息
申请号: 202020529398.9 申请日: 2020-04-10
公开(公告)号: CN212461692U 公开(公告)日: 2021-02-02
发明(设计)人: 小野寺凉;花田明纮;田中仁 申请(专利权)人: 株式会社日本显示器
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L27/32;G02F1/1368
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 杨宏军
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 半导体 装置
【权利要求书】:

1.半导体装置,其具有第一TFT和第二TFT,所述第一TFT具有由第一多晶硅形成的沟道、且在源极及漏极具有对所述第一多晶硅赋予导电性而得的第二多晶硅,所述第二TFT具有由氧化物半导体形成的沟道和对所述氧化物半导体赋予导电性而得的源极及漏极,所述半导体装置的特征在于,

构成所述第一TFT的第一栅电极由与所述氧化物半导体的源极或漏极相同的材料形成。

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,所述氧化物半导体的源极或漏极通过离子注入被赋予导电性。

3.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,所述第一TFT为顶栅型,所述第二TFT为顶栅型。

4.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,所述第一TFT为N沟道型,在所述沟道的两侧具有轻掺杂漏极区域即LDD区域。

5.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,所述第一TFT为P沟道型。

6.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,构成所述第一TFT的第一栅极绝缘膜与构成所述第二TFT的第二栅极绝缘膜直接层叠。

7.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,所述第二TFT为底栅型,构成所述第二TFT的第二栅电极由第三多晶硅形成,所述第三多晶硅由与所述第二多晶硅相同的材料形成。

8.根据权利要求7所述的半导体装置,其特征在于,所述第一TFT为顶栅型。

9.根据权利要求7所述的半导体装置,其特征在于,构成所述第一TFT的第一栅极绝缘膜与构成所述第二TFT的第二栅极绝缘膜由共同的绝缘膜形成。

10.半导体装置,其具有第一TFT和第二TFT,所述第一TFT具有由第一多晶硅形成的沟道、且在源极及漏极具有对所述第一多晶硅赋予导电性而得的第二多晶硅,所述第二TFT具有由氧化物半导体形成的沟道和对所述氧化物半导体赋予导电性而得的源极及漏极,所述半导体装置的特征在于,

构成所述第二TFT的第二栅电极由第三多晶硅形成,所述第三多晶硅由与所述第二多晶硅相同的材料形成。

11.根据权利要求10所述的半导体装置,其特征在于,所述第一TFT为底栅型。

12.根据权利要求10所述的半导体装置,其特征在于,所述第二TFT在所述第二栅电极的背面具有遮光膜,

所述第一TFT的第一栅电极由与所述遮光膜相同的材料形成在相同的层之上。

13.根据权利要求1至12中任一项所述的半导体装置,其特征在于,所述第一TFT被用于驱动电路,所述第二TFT被用作开关元件。

14.根据权利要求1至12中任一项所述的半导体装置,其特征在于,所述半导体装置为液晶显示装置。

15.根据权利要求1至12中任一项所述的半导体装置,其特征在于,所述半导体装置为有机EL显示装置。

16.根据权利要求1至12中任一项所述的半导体装置,其特征在于,所述半导体装置为光传感器。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社日本显示器,未经株式会社日本显示器许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202020529398.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top