[实用新型]半导体装置有效
| 申请号： | 202020529398.9 | 申请日： | 2020-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN212461692U | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 小野寺凉;花田明纮;田中仁 | 申请（专利权）人： | 株式会社日本显示器 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L27/32;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.半导体装置，其具有第一TFT和第二TFT，所述第一TFT具有由第一多晶硅形成的沟道、且在源极及漏极具有对所述第一多晶硅赋予导电性而得的第二多晶硅，所述第二TFT具有由氧化物半导体形成的沟道和对所述氧化物半导体赋予导电性而得的源极及漏极，所述半导体装置的特征在于，
构成所述第一TFT的第一栅电极由与所述氧化物半导体的源极或漏极相同的材料形成。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述氧化物半导体的源极或漏极通过离子注入被赋予导电性。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一TFT为顶栅型，所述第二TFT为顶栅型。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一TFT为N沟道型，在所述沟道的两侧具有轻掺杂漏极区域即LDD区域。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一TFT为P沟道型。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，构成所述第一TFT的第一栅极绝缘膜与构成所述第二TFT的第二栅极绝缘膜直接层叠。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第二TFT为底栅型，构成所述第二TFT的第二栅电极由第三多晶硅形成，所述第三多晶硅由与所述第二多晶硅相同的材料形成。
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，所述第一TFT为顶栅型。
9.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，构成所述第一TFT的第一栅极绝缘膜与构成所述第二TFT的第二栅极绝缘膜由共同的绝缘膜形成。
10.半导体装置，其具有第一TFT和第二TFT，所述第一TFT具有由第一多晶硅形成的沟道、且在源极及漏极具有对所述第一多晶硅赋予导电性而得的第二多晶硅，所述第二TFT具有由氧化物半导体形成的沟道和对所述氧化物半导体赋予导电性而得的源极及漏极，所述半导体装置的特征在于，
构成所述第二TFT的第二栅电极由第三多晶硅形成，所述第三多晶硅由与所述第二多晶硅相同的材料形成。
11.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，所述第一TFT为底栅型。
12.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，所述第二TFT在所述第二栅电极的背面具有遮光膜，
所述第一TFT的第一栅电极由与所述遮光膜相同的材料形成在相同的层之上。
13.根据权利要求1至12中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述第一TFT被用于驱动电路，所述第二TFT被用作开关元件。
14.根据权利要求1至12中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置为液晶显示装置。
15.根据权利要求1至12中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置为有机EL显示装置。
16.根据权利要求1至12中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置为光传感器。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社日本显示器，未经株式会社日本显示器许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202020529398.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种电能质量智能检测装置
- 下一篇：一种磁吸密封条
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
