[实用新型]半导体装置

说明书

本实用新型涉及半导体装置。课题为在使用由多晶硅形成的TFT和由氧化物半导体形成的TFT的半导体装置中，能够减少层数并降低制造成本。解决手段为半导体装置，其具有第一TFT和第二TFT，所述第一TFT具有由第一多晶硅(102)形成的沟道、且在源极及漏极具有对所述第一多晶硅赋予导电性而得的第二多晶硅，所述第二TFT具有由氧化物半导体(108)形成的沟道和对所述氧化物半导体赋予导电性而得的源极及漏极，半导体装置的特征在于，构成所述第一TFT的第一栅电极(104)由与所述氧化物半导体的源极及漏极相同的材料形成。

技术领域

本实用新型涉及使用氧化物半导体TFT及多晶硅TFT的显示装置、包含光传感器装置的半导体装置。

背景技术

使用氧化物半导体(Oxide Semiconducotor、以下也存在称为OS的情况)的TFT(Thin Film Transistor：薄膜晶体管)与使用多晶硅(Poly-Silicon)的TFT相比能够使OFF电阻增大，与使用a-Si(非晶硅，amorphous Silicon)的TFT相比能够使迁移率增大，因此能够应用于液晶显示装置、有机EL显示装置等显示装置或传感器等半导体装置。另一方面，多晶硅TFT载流子的迁移率很大，因此能够提高运行速度。

因此，提出了将氧化物半导体TFT应用于像素中的开关TFT、将多晶硅TFT应用于扫描线、信号线的驱动电路。在一个基板上形成氧化物半导体TFT和多晶硅TFT的方式也称为混合方式。

专利文献1中记载了在混合方式的半导体电路基板中作为氧化物半导体的遮光膜使用多晶硅TFT的构成。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2018-64020号公报

实用新型内容

实用新型要解决的课题

氧化物半导体TFT中的氧化物半导体与多晶硅TFT中的多晶硅无法形成在相同的层上。因此，在形成有氧化物半导体TFT和多晶硅TFT的半导体电路基板中，层数变多。若层数变多，则制造成本增加，且制造成品率也下降。

本实用新型的课题为，在上述这样的混合型半导体电路基板中减少层数并降低半导体电路基板的制造成本。另外，本实用新型的课题为，降低具有上述这样的混合半导体电路基板的液晶显示装置、有机EL显示装置等显示装置或传感器等半导体装置中的制造成本。

用于解决课题的方案

本实用新型为了克服上述问题，具体的手段如下。

(1)半导体装置，其具有第一TFT和第二TFT，所述第一TFT具有由第一多晶硅形成的沟道、且在源极及漏极具有对所述第一多晶硅赋予导电性而得的第二多晶硅，所述第二TFT具有由氧化物半导体形成的沟道和对所述氧化物半导体赋予导电性而得的源极及漏极，所述半导体装置的特征在于，构成所述第一TFT的第一栅电极由与所述氧化物半导体的源极及漏极相同的材料形成。

(2)半导体装置，其具有第一TFT和第二TFT，所述第一TFT具有由第一多晶硅形成的沟道、且在源极及漏极具有对所述第一多晶硅赋予导电性而得的第二多晶硅，所述第二TFT具有由氧化物半导体形成的沟道和对所述氧化物半导体赋予导电性而得的源极及漏极，所述半导体装置的特征在于，构成所述第二TFT的第二栅电极由第三多晶硅形成，所述第三多晶硅由与所述第二多晶硅相同的材料形成。

附图说明

图1是液晶显示装置的俯视图。

图2是液晶显示装置的显示区域的俯视图。

图3是具有混合构成的液晶显示装置的剖视图。

图4是图3的TFT基板部分的放大剖视图。