[实用新型]扇出型系统级封装结构

权利要求书

1.一种扇出型系统级封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：

重新布线层，所述重新布线层包括第一面以及相对的第二面；

金属连接柱，形成于所述重新布线层的第二面上，所述金属连接柱与所述重新布线层电性相连；

系统级芯片以及电源管理芯片，所述系统级芯片以及电源管理芯片接合于所述重新布线层的第二面上，以实现与所述重新布线层的电性连接；

封装层，覆盖于所述金属连接柱、系统级芯片以及电源管理芯片，且所述金属连接柱显露于所述封装层；

连接布线层，形成于所述封装层上，所述连接布线层与所述金属连接柱电性连接；

金属凸块，形成于所述重新布线层的第一面，以实现所述重新布线层的电性引出；

存储芯片及被动组件，接合于所述连接布线层，以实现与所述连接布线层的电性连接。

2.根据权利要求1所述的扇出型系统级封装结构，其特征在于：所述重新布线层包括：

第一介质层；

图形化的第一金属布线层，位于所述第一介质层上；

具有图形化通孔的第二介质层，位于所述第一金属布线层上；

图形化的第二金属布线层，位于所述第二介质层上。

3.根据权利要求2所述的扇出型系统级封装结构，其特征在于：所述第一介质层中具有窗口，所述窗口显露所述第一金属布线层，所述金属凸块制作于所述窗口中。

4.根据权利要求2所述的扇出型系统级封装结构，其特征在于：所述介质层的材料包括环氧树脂、硅胶、PI、PBO、BCB、氧化硅、磷硅玻璃，含氟玻璃中的一种或两种以上组合，所述金属布线层的材料包括铜、铝、镍、金、银、钛中的一种或两种以上组合。

5.根据权利要求1所述的扇出型系统级封装结构，其特征在于：所述金属连接柱的材料包括Au、Ag、Cu、Al中的一种。

6.根据权利要求1所述的扇出型系统级封装结构，其特征在于：所述存储芯片包括ePoP存储器。

7.根据权利要求1所述的扇出型系统级封装结构，其特征在于：所述被动组件包括多个被动元件，所述被动元件包括电阻、电容及电感中的一种。

8.根据权利要求1所述的扇出型系统级封装结构，其特征在于：所述封装层的顶面超出所述系统级芯片以及电源管理芯片的顶面的厚度介于0微米～10微米。

9.根据权利要求1所述的扇出型系统级封装结构，其特征在于：所述扇出型系统级封装结构的厚度不大于1毫米。