[实用新型]一种新型防反接控制电路有效
| 申请号： | 202020564928.3 | 申请日： | 2020-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN211790755U | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 唐永强;李艳春;吴正华;龚宇 | 申请（专利权）人： | 深圳市高科润电子有限公司 |
| 主分类号： | H02H11/00 | 分类号： | H02H11/00 |
| 代理公司： | 北京劲创知识产权代理事务所(普通合伙) 11589 | 代理人： | 徐家升 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区石岩街道石岩湖北大方正科技园A2栋2楼东侧，A7栋1楼7105*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 新型 反接 控制电路 | ||
1.一种新型防反接控制电路，包括N沟道MOS控制回路(1)和P沟道MOS控制回路(2)，其特征在于：所述N沟道MOS控制回路(1)由二极管D1、电阻R1、电阻R2、稳压二极管Z1、电容C1和N沟道MOS管M1组成；其中：电阻R1与二极管D1串联后，连接于N沟道MOS管M1的G极，所述电阻R2并联于稳压二极管Z1的两极，所述稳压二极管Z1连接于N沟道MOS管M1的G极、S极电路接口，所述电容C1连接于N沟道MOS管M1的D极、S极电路接口；
所述P沟道MOS控制回路(2)由电阻R3、电阻R4、稳压二极管Z2、二极管D2、电容C4和P沟道MOS管M2组成；其中：电阻R3并联于稳压二极管Z2的两极，所述稳压二极管Z2连接于P沟道MOS管M2的G极、S极电路接口，所述电阻R4与二极管D2串联后，连接于P沟道MOS管M2的G极，所述电容C4连接于P沟道MOS管M2的D极、S极电路接口。
2.根据权利要求1所述的一种新型防反接控制电路，其特征在于：所述二极管D1连接于电源电路+VIN。
3.根据权利要求1所述的一种新型防反接控制电路，其特征在于：所述N沟道MOS管M1的D极连接于电源电路-VIN。
4.根据权利要求1所述的一种新型防反接控制电路，其特征在于：所述P沟道MOS管M2的S极连接于电源电路+VIN。
5.根据权利要求1所述的一种新型防反接控制电路，其特征在于：所述二极管D2连接于电源电路-VIN。
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