[实用新型]一种新型防反接控制电路

说明书

本实用新型公开了一种新型防反接控制电路，包括N沟道MOS控制回路和P沟道MOS控制回路，所述N沟道MOS控制回路由二极管D1、电阻R1、电阻R2、稳压二极管Z1、电容C1和N沟道MOS管M1组成；其中：电阻R1与二极管D1串联后，连接于N沟道MOS管M1的G极，所述电阻R2并联于稳压二极管Z1的两极，所述稳压二极管Z1连接于N沟道MOS管M1的G极、S极电路接口，所述电容C1连接于N沟道MOS管M1的D极、S极电路接口。本新型防反接控制电路，采用常规通用电子器件，使得成本低经济效益十分可观，而且电路的产业化容易实现，电路一致性很好，具有推广的意义。

技术领域

本实用新型涉及反接控制电路技术领域，具体为一种新型防反接控制电路。

背景技术

随着人们生活水平的提供，对家电和其他电子产品的安全性要求越来越高，但时常有不少电子产品因为电源插反而引起的安全事故。目前的电源电路存在着使用二极管电源防反接的压降和功耗过大的问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种新型防反接控制电路，采用常规通用电子器件，使得成本低经济效益十分可观，而且电路的产业化容易实现，电路一致性很好，具有推广的意义，可以解决现有技术中的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种新型防反接控制电路，包括N沟道MOS控制回路和P沟道MOS控制回路，所述N沟道MOS控制回路由二极管D1、电阻R1、电阻R2、稳压二极管Z1、电容C1和N沟道MOS管M1组成；其中：电阻R1与二极管D1串联后，连接于N沟道MOS管M1的G极，所述电阻R2并联于稳压二极管Z1的两极，所述稳压二极管Z1连接于N沟道MOS管M1的G极、S极电路接口，所述电容C1连接于N沟道MOS管M1的D极、S极电路接口。

所述P沟道MOS控制回路由电阻R3、电阻R4、稳压二极管Z2、二极管D2、电容C4和P沟道MOS管M2组成；其中：电阻R3并联于稳压二极管Z2的两极，所述稳压二极管Z2连接于P沟道MOS管M2的G极、S极电路接口，所述电阻R4与二极管D2串联后，连接于P沟道MOS管M2的G极，所述电容C4连接于P沟道MOS管M2的D极、S极电路接口。

优选的，所述二极管D1连接于电源电路+VIN。

优选的，所述N沟道MOS管M1的D极连接于电源电路-VIN。

优选的，所述P沟道MOS管M1的S极连接于电源电路+VIN。

优选的，所述二极管D2连接于电源电路-VIN。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果如下：

本新型防反接控制电路，利用N沟道MOS管M1与P沟道MOS管M2的开关特性，控制电路的导通和关断来设计防反接保护电路，由于两个功率MOS管的内阻很小，故可以把功耗降到最低，以此来提高产品的安全性，可以广泛应用于各种各样的电子产品中。

附图说明

图1为本实用新型的N沟道MOS控制回路图；

图2为本实用新型的P沟道MOS控制回路图。

图中：1、N沟道MOS控制回路；2、P沟道MOS控制回路。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。