[实用新型]一种晶圆冷却卡盘有效
申请号: | 202020602418.0 | 申请日: | 2020-04-21 |
公开(公告)号: | CN211529929U | 公开(公告)日: | 2020-09-18 |
发明(设计)人: | 王蜀豫 | 申请(专利权)人: | 杭州晶通科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 张超 |
地址: | 311121 浙江省杭州市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 冷却 卡盘 | ||
本实用新型公开了一种晶圆冷却卡盘,包括圆形的卡盘本体,在圆心位置有进气孔,在卡盘本体上靠近圆心的位置设置有聚流环,聚流环的外壁延伸出六个等角度分隔的分隔壁,将卡盘本体分隔为6个分隔区,分隔壁延伸至卡盘本体的边缘,在相邻的两个分隔壁间的聚流环上有导流孔,在三个两两不相邻的分隔区的卡盘本体上均有至少一个顶针孔,其余的三个分隔区的卡盘本体上均有真空吸盘,真空吸盘连接到同一个抽真空机。采用实用新型的设计方案,通过顶针的垂直运动接收/输送晶圆,通过真空吸盘进行晶圆的吸附和固定,通过三点一个平面的形式,使得变形的晶圆也能够被完全固定,并通过分隔区的配合,使得冷却气体流速变大,降温变快。
技术领域
本实用新型涉及半导体封装技术领域,具体涉及一种晶圆冷却卡盘。
背景技术
晶圆级封装(WLP)在工艺过程中会经常需要将加热后的晶圆降温到室温,比如EMC高温固化和涂胶工艺步骤,目前工艺设备针对此类应用主要采取将晶圆放置在冷板上的方式降温。
冷板冷却的方式存在着如下的缺陷:
1.冷板的温度一般为18-30摄氏度,洁净室室温一般为23-25度,冷板要达到18摄氏度,就需要连接冷冻机,达到30度需要加热器,这就使系统复杂且成本高昂。同时如果为了加快冷却速度而将冷板设置为18度,还需要计算晶圆下降到室温(25摄氏度)的时间并在冷却过程中严格执行,否则晶圆温度可能低于室温。
2.冷板的温度为18-30摄氏度,调节范围比较小,当冷板设置温度高于室温(25-30) 时,晶圆冷却结束时的温度无法达到标准室温。同时冷板在晶圆冷却过程中,温度不能发生改变,这样当工艺要求不同的晶圆温度下降曲线的时候,冷板因为调节范围狭窄无法满足细分降温要求。
3.WLP工艺中的晶圆在制程中会因制程原因而产生变形,变形最大可以达到±3mm,变形的晶圆放置在冷板上会一部分接触冷板,一部分无法接触冷板,在冷却过程中,晶圆接触冷板的部分降温比较快,没接触的部分降温比较慢,晶圆温度变化速率不同会形成不同的应力,而局部的应力差异可能损坏晶圆上的半导体器件。
实用新型内容
实用新型目的:本实用新型的目的在于解决现有的晶圆降温方法--采用放置在冷板上的方式,成本高,降温效果不精确,不显著,且由于晶圆会存在变形的问题,和冷板的接触不完全,就会导致降温不均匀的问题。
技术方案:为解决上述问题,本实用新型采用以下技术方案:
一种晶圆冷却卡盘,其特征在于:包括圆形的卡盘本体,在圆心位置有进气孔,在卡盘本体上靠近圆心的位置设置有聚流环,聚流环的外壁延伸出六个等角度分隔的分隔壁,将卡盘本体分隔为6个分隔区,分隔壁延伸至卡盘本体的边缘,在相邻的两个分隔壁间的聚流环上有导流孔,在三个两两不相邻的分隔区的卡盘本体上均有至少一个顶针孔,其余的三个分隔区的卡盘本体上均有真空吸盘,真空吸盘连接到同一个抽真空机。
进气孔直接通过管道连接到空压机或厂务压缩空气,也可连接到氮气管道,进行冷却至常温的操作。
通过三个顶针在顶针孔内的垂直运动可以稳定的承接上一工艺步骤结束后输送来的晶圆,并被三个真空吸盘固定,通过吸盘的吸附,能够更好的进行固定,且考虑到晶圆可能会变形,故采用三点式的固定法,明显更有利于降温的均匀性。
通过设置多个分隔壁以及分隔区的配合,使得用于冷却气体的流动在分隔区内具有要求的方向性,同时使得其能够具有一定的流速,提高降温的效率。
进一步地,卡盘外部的用于连接真空吸盘的管路上设置有针阀和关断阀。
由于晶圆可能会存在形变,如果晶圆无变形或变形比较小,使用针阀调低真空吸气量,同时三个真空吸盘的吸力也可以矫正晶圆的微小变形,如果晶圆的变形严重,调高真空吸气量保证稳定吸附。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造