[实用新型]半导体结构有效
| 申请号： | 202020607721.X | 申请日： | 2020-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN212182338U | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 程凯 | 申请（专利权）人： | 苏州晶湛半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L29/45;H01L29/205 |
| 代理公司： | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人： | 林祥 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市苏州工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
自下而上分布的半导体衬底（10）、异质结（11）、P型离子掺杂层（12）以及绝缘层（13）；所述P型离子掺杂层（12）包括激活区（121）与非激活区（122），所述激活区（121）位于栅极区域，所述激活区（121）中的P型掺杂离子被激活，所述非激活区（122）位于非栅极区域；所述绝缘层（13）具有开口（13a），所述开口（13a）暴露所述激活区（121）；
以及位于所述激活区（121）上，和/或所述异质结（11）的源极区域上，和/或所述异质结（11）的漏极区域上的N型离子重掺杂层（15）。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：位于所述栅极区域的N型离子重掺杂层（15）上的栅极（14a），位于所述源极区域的N型离子重掺杂层（15）上的源极（14b），以及位于所述漏极区域的N型离子重掺杂层（15）上的漏极（14c）。
3.根据权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，所述N型离子重掺杂层（15）的材料为Ⅲ族氮化物材料。
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述N型离子重掺杂层（15）中，N型离子为：Si离子、Ge离子、Sn离子、Se离子或Te离子中的一种。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述P型离子掺杂层（12）的材料为Ⅲ族氮化物材料。
6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述P型离子掺杂层（12）中，P型掺杂离子为：Mg离子、Zn离子、Ca离子、Sr离子或Ba离子中的一种。
7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述绝缘层（13）为单层结构，所述单层结构的材料包括：SiN、AlN中的一种；或所述绝缘层（13）为叠层结构，所述叠层结构自下而上包括：SiN层与AlN层，AlN层与SiN层，或SiN层、AlN层与SiN层。
8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述异质结（11）自下而上包括沟道层（11a）与势垒层（11b）。
9.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述异质结（11）自下而上包括沟道层（11a）与势垒层（11b）；所述源极（14b）与所述漏极（14c）接触所述沟道层（11a）或所述势垒层（11b）。
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