[实用新型]一种硅片清洗机构有效
申请号: | 202020611878.X | 申请日: | 2020-04-22 |
公开(公告)号: | CN211957603U | 公开(公告)日: | 2020-11-17 |
发明(设计)人: | 古元甲;史丹梅;田志民;郝红月;孙毅;马淑芳 | 申请(专利权)人: | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L31/18;B08B3/08;B08B3/10;B08B3/12 |
代理公司: | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人: | 栾志超 |
地址: | 300384 天津市滨海*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 硅片 清洗 机构 | ||
1.一种硅片清洗机构,其特征在于,依次包括预清洗单元、药液清洗单元、一次漂洗单元、化学液漂洗单元、二次漂洗单元和满提拉单元,其中,所述预清洗单元、所述一次漂洗单元、所述二次漂洗单元和所述满提拉单元中均至少设有一个纯水槽;
所述药液清洗单元设有若干一号药液槽;
所述化学液漂洗单元至少设有一个二号药液槽;
所述药液清洗单元和化学液漂洗单元一起或与所述预清洗单元、一次漂洗单元、所述二次漂洗单元和所述满提拉单元一起同步进行补液或换液。
2.根据权利要求1所述的一种硅片清洗机构,其特征在于,每个所述一号药液槽和所述二号药液槽内均设有若干个独立设置的药液管,所述药液管分别与外设药液源连通。
3.根据权利要求2所述的一种硅片清洗机构,其特征在于,所述药液清洗单元设有两个所述一号药液槽,所述一号药液槽均相互独立设置;
所述化学液漂洗单元设有一个二号药液槽。
4.根据权利要求2或3所述的一种硅片清洗机构,其特征在于,每个所述纯水槽、所述一号药液槽和所述二号药液槽均设有蓄水管,所述蓄水管均与同一个外设蓄水源连通。
5.根据权利要求4所述的一种硅片清洗机构,其特征在于,所述蓄水管上设有加热器和温度传感器,与所述纯水槽连接的所述加热器的温度值小于与所述一号药液槽或所述二号药液槽连接的所述加热器的温度值。
6.根据权利要求5所述的一种硅片清洗机构,其特征在于,所述纯水槽中的所述加热器的温度值相同。
7.根据权利要求6所述的一种硅片清洗机构,其特征在于,所述一号药液槽与所述二号药液槽中的所述加热器的温度值相同。
8.根据权利要求5-7任一项所述的一种硅片清洗机构,其特征在于,所述药液管和所述蓄水管靠近所述一号药液槽或所述二号药液槽或所述纯水槽一端设有单向电磁阀。
9.根据权利要求1-3、5-7任一项所述的一种硅片清洗机构,其特征在于,每个所述纯水槽、所述一号药液槽和所述二号药液槽中均设有超声振动。
10.根据权利要求9所述的一种硅片清洗机构,其特征在于,每个所述纯水槽、所述一号药液槽和所述二号药液槽内均设有液位传感器,所述液位传感器用于控制所述纯水槽、所述一号药液槽和所述二号药液槽中的水含量。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造