[实用新型]一种弱化像元失配影响的光电传感检测装置

权利要求书

1.一种弱化像元失配影响的光电传感检测装置，用于实现像元的红外辐射信号读取，其特征在于：包括偏置电路模块101、减法电路模块102、第一电流镜DAC模块103、第二电流镜DAC模块104、积分放大电路模块105；

其中，偏置电路模块101包括dummy像元支路电路、以及探测像元与盲像元支路电路，用于对探测像元和盲像元进行偏置；

减法电路模块102分别接入dummy像元支路电路的输出端、探测像元与盲像元支路电路的输出端，用于针对该两条支路电路的输出进行减法操作；

第一电流镜DAC模块103接入减法电路模块102的输出端，针对减法电路模块102的输出电流预设比例进行缩放；

第二电流镜DAC模块104接入第一电流镜DAC模块103的输出端、以及偏置电路模块101中dummy像元支路电路的输出端，针对所接入电流按预设比例进行缩放；

积分放大电路模块105接入第二电流镜DAC模块104的输出端、以及偏置电路模块101中探测像元与盲像元支路电路的输出端，针对所接入电流进行积分放大，并进行输出，实现像元的红外辐射信号读取。

2.根据权利要求1所述一种弱化像元失配影响的光电传感检测装置，其特征在于：所述偏置电路模块101中的探测像元与盲像元支路电路中，包括探测像元R_s和盲像元R_b，其中，探测像元R_s的其中一端、盲像元R_b的其中一端分别连接供电电源，探测像元R_s的另一端对接第一MOS晶体管MP1的源端，第一MOS晶体管MP1的栅端分别对接第二MOS晶体管MP2的栅端、第三MOS晶体管MP3的栅端、第四MOS晶体管MP4的栅端，第一MOS晶体管MP1的漏端构成探测像元与盲像元支路电路的第二输出端，同时第一MOS晶体管MP1的漏端对接第二MOS晶体管MP2的源端，第二MOS晶体管MP2的漏端接地；盲像元R_b的另一端对接第三MOS晶体管MP3的源端，第三MOS晶体管MP3的漏端构成探测像元与盲像元支路电路的第一输出端，同时第三MOS晶体管MP3的漏端对接第四MOS晶体管MP4的源端，第四MOS晶体管MP4的漏端接地。

3.根据权利要求2所述一种弱化像元失配影响的光电传感检测装置，其特征在于：所述偏置电路模块101中的dummy像元支路电路中，包括第一参考像元R_b1和第二参考像元R_b2，其中，第一参考像元R_b1的其中一端、第二参考像元R_b2的其中一端分别连接供电电源，第一参考像元R_b1的另一端对接第五MOS晶体管MP5的源端，第五MOS晶体管MP5的栅端分别对接第六MOS晶体管MP6的栅端、第七MOS晶体管MP7的栅端、第八MOS晶体管MP8的栅端，第五MOS晶体管MP5的漏端构成dummy像元支路电路的第一输出端，同时第五MOS晶体管MP5的漏端对接第六MOS晶体管MP6的源端，第六MOS晶体管MP6的漏端接地；第二参考像元R_b2的另一端对接第七MOS晶体管MP7的源端，第七MOS晶体管MP7的漏端构成dummy像元支路电路的第二输出端，同时第七MOS晶体管MP7的漏端对接第八MOS晶体管MP8的源端，第八MOS晶体管MP8的漏端接地。