[实用新型]一种半导体晶片钻孔用直槽PCD钻头有效

专利信息
申请号: 202020632147.3 申请日: 2020-04-24
公开(公告)号: CN212170918U 公开(公告)日: 2020-12-18
发明(设计)人: 张金贤;石锡祥 申请(专利权)人: 厦门厦芝科技工具有限公司
主分类号: B28D5/02 分类号: B28D5/02;B24B5/50;B24B5/48;B24B5/35
代理公司: 厦门市精诚新创知识产权代理有限公司 35218 代理人: 戚东升
地址: 361000 福建省厦门*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 半导体 晶片 钻孔 用直槽 pcd 钻头
【权利要求书】:

1.一种半导体晶片钻孔用直槽PCD钻头,其特征在于:包括由延长杆(22)与PCD复合材质的钻针(21)组合形成的钻杆(2),钻杆(2)上开设有排屑用的直槽(23),且钻针(21)的端部形成有先端角(211)。

2.根据权利要求1所述的半导体晶片钻孔用直槽PCD钻头,其特征在于:钻杆(2)上开设有两个对称设置的直槽(23)。

3.根据权利要求2所述的半导体晶片钻孔用直槽PCD钻头,其特征在于:先端角(211)上形成有呈中心对称的多斜面结构。

4.根据权利要求3所述的半导体晶片钻孔用直槽PCD钻头,其特征在于:先端角(211)上形成有依次排布的第一斜面(2111)、第二斜面(2112)、第三斜面(2113)、第四斜面(2114)、第五斜面(2115)和第六斜面(2116),第一斜面(2111)与第六斜面(2116)呈中心对称设置,第二斜面(2112)与第五斜面(2115)呈中心对称设置,第三斜面(2113)与第四斜面(2114)呈中心对称设置,且第三斜面(2113)和第四斜面(2114)相互配合形成先端角(211)的顶尖部位,定义第一斜面(2111)与第六斜面(2116)的夹角为α,第二斜面(2112)与第五斜面(2115)的夹角为β,第三斜面(2113)与第四斜面(2114)的夹角为γ,其中,α<β<γ。

5.根据权利要求4所述的半导体晶片钻孔用直槽PCD钻头,其特征在于:第一斜面(2111)与第六斜面(2116)的夹角α的角度范围为40°~70°,第二斜面(2112)与第五斜面(2115)的夹角β的角度范围为75°~105°,第三斜面(2113)与第四斜面(2114)的夹角γ的角度范围为115°~145°。

6.根据权利要求5所述的半导体晶片钻孔用直槽PCD钻头,其特征在于:第一斜面(2111)与第六斜面(2116)的夹角α为55°,第二斜面(2112)与第五斜面(2115)的夹角β为90°,第三斜面(2113)与第四斜面(2114)的夹角γ为130°。

7.根据权利要求1至6任一所述的半导体晶片钻孔用直槽PCD钻头,其特征在于:半导体晶片钻孔用直槽PCD钻头还包括钻柄(1),延长杆(22)与钻柄(1)一体成型,且延长杆(22)的外径与钻针(21)的外径相适配,钻针(21)一端形成先端角(211),另一端形成有V形凸起(212),在延长杆(22)的端部位置上开设有与V形凸起(212)相适配的V形凹槽(221),钻针(21)与延长杆(22)通过V形凸起(212)与V形凹槽(221)的配合进行适配对接并经过焊接固定连接在一起。

8.根据权利要求7所述的半导体晶片钻孔用直槽PCD钻头,其特征在于:V形凸起(212)的顶角为60°~150°,且V形凸起(212)的顶角与V形凹槽(221)的内角之和为180°。

9.根据权利要求8所述的半导体晶片钻孔用直槽PCD钻头,其特征在于:V形凸起(212)的顶角和V形凹槽(221)的内角均为90°。

10.根据权利要求7所述的半导体晶片钻孔用直槽PCD钻头,其特征在于:钻柄(1)和延长杆(22)均由钨钢材质制成。

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