[实用新型]一种半导体晶片钻孔用直槽PCD钻头

说明书

本实用新型公开一种半导体晶片钻孔用直槽PCD钻头，包括由延长杆与PCD复合材质的钻针组合形成的钻杆，钻杆上开设有排屑用的直槽，且钻针的端部形成有先端角。本实用新型在钻杆上开设排屑用的直槽，使用直槽代替传统PCD钻头中的螺旋状的排屑槽，因此在对半导体晶片进行钻孔时，钻头磨削半导体晶片过程中所产生的细腻粉屑能顺畅地通过直槽排出孔外而不会粘粘在槽内造成堵塞及影响散热以利于钻孔作业。

技术领域

本实用新型涉及钻头技术领域，具体涉及一种半导体晶片钻孔用直槽PCD钻头。

背景技术

现有技术中，半导体晶片钻孔作业时，PCD钻头主要是通过磨削作用实现对半导体晶片钻孔的，因此，在磨削过程中会产生比较细腻的粉屑，而现有的PCD钻头都是采用螺旋状的排屑槽来排屑，因此，在钻孔过程中，这些粉屑经常会粘粘在PCD钻头的螺旋状的排屑槽内，不易排出，不利于钻头散热，严重时甚至会造成排屑槽堵塞。

实用新型内容

针对现有技术的不足，本实用新型提供了一种半导体晶片钻孔用直槽PCD钻头，其主要解决的是现有具有螺旋状排屑槽的PCD钻头在对半导体晶片钻孔过程中，细腻的粉屑容易粘粘在排屑槽内影响散热甚至造成排屑槽堵塞等技术问题。

为达到上述目的，本实用新型是通过以下技术方案实现的：

一种半导体晶片钻孔用直槽PCD钻头，包括由延长杆与PCD复合材质的钻针组合形成的钻杆，钻杆上开设有排屑用的直槽，且钻针的端部形成有先端角。

进一步，钻杆上开设有两个对称设置的直槽。

进一步，先端角上形成有呈中心对称的多斜面结构。

进一步，先端角上形成有依次排布的第一斜面、第二斜面、第三斜面、第四斜面、第五斜面和第六斜面，第一斜面与第六斜面呈中心对称设置，第二斜面与第五斜面呈中心对称设置，第三斜面与第四斜面呈中心对称设置，且第三斜面和第四斜面相互配合形成先端角的顶尖部位，定义第一斜面与第六斜面的夹角为α，第二斜面与第五斜面的夹角为β，第三斜面与第四斜面的夹角为γ，其中，α＜β＜γ。

进一步，第一斜面与第六斜面的夹角α的角度范围为40°～70°，第二斜面与第五斜面的夹角β的角度范围为75°～105°，第三斜面与第四斜面的夹角γ的角度范围为115°～145°。

进一步，第一斜面2111与第六斜面的夹角α为55°，第二斜面与第五斜面的夹角β为90°，第三斜面与第四斜面的夹角γ为130°。

进一步，半导体晶片钻孔用直槽PCD钻头还包括钻柄，延长杆与钻柄一体成型，且延长杆的外径与钻针的外径相适配，钻针一端形成先端角，另一端形成有V形凸起，在延长杆的端部位置上开设有与V形凸起相适配的V形凹槽，钻针与延长杆通过V形凸起与V形凹槽的配合进行适配对接并经过焊接固定连接在一起。

进一步，V形凸起的顶角为60°～150°，且V形凸起的顶角与V形凹槽的内角之和为180°。

进一步，V形凸起的顶角和V形凹槽的内角均为90°。

进一步，钻柄和延长杆均由钨钢材质制成。

本实用新型所述的半导体晶片钻孔用直槽PCD钻头，具有如下优点：

1、在钻杆上开设排屑用的直槽，使用直槽代替传统PCD钻头中的螺旋状的排屑槽，因此在对半导体晶片进行钻孔时，钻头磨削半导体晶片过程中所产生的细腻粉屑能顺畅地通过直槽排出孔外而不会粘粘在槽内造成堵塞及影响散热以利于钻孔作业。