[实用新型]一种金铂扩散舟有效
申请号: | 202020637978.X | 申请日: | 2020-04-24 |
公开(公告)号: | CN211507587U | 公开(公告)日: | 2020-09-15 |
发明(设计)人: | 魏兴政;高飞 | 申请(专利权)人: | 济南兰星电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
代理公司: | 济南誉琨知识产权代理事务所(普通合伙) 37278 | 代理人: | 庞庆芳 |
地址: | 250200 山东*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 扩散 | ||
本实用新型提出一种金铂扩散舟,包括舟底板和硅片固定件,舟底板的一端设置有挂孔,舟底板上设置有多组硅片固定件,硅片固定件包括两对顶头和两对分档杆,顶头的中心转动设置有螺柱,分档杆靠近舟底板的边缘设置,舟底板上设置有舟头板和护板,护板上均匀分布有若干个散气孔,舟底板上介于一对舟头板之间设置有挂孔,舟底板上介于每对顶头之间设置有底孔,舟底板的底部均匀设置有若干个球状凸头。本实用新型具有层叠排舟和分段排舟两种排舟方式,气体流通效果较好,有利于提高硅片扩散质量;本装置的顶头支撑高度以及分档杆间距均可合理调整,利用率较高,设计合理,结构简单,适合大规模推广。
技术领域
本实用新型属于半导体器件生产设备技术领域,尤其涉及一种金铂扩散舟。
背景技术
在半导体器件中,二极管是最简单也是最基础的器件,随着电子电路应用的多样化,器件的功能也需要随之多样化,比如许多高频电路要求开关速度快、功率大、漏电流小等优点,目前应用于此类电路的二极管主要是快恢复二极管,快恢复二极管具有反向恢复时间短、开关特性好、工作电流大、反向漏电小等特点。快恢复二极管不同于普通二极管是因为反向恢复时间短,需要掺杂金或铂等重金属才能缩短恢复时间,掺金掺铂工艺是在高温过程中进行,将硅片排在扩散舟上,进入高温扩散炉进行扩散而达到目的。
快恢复二极管的掺金掺铂工艺的重点是要求反向恢复时间一致性要好。该工艺除了要求扩散炉的具有良好的稳定性以外,还与扩散舟的设计有关。如专利CN201720896063.9公开了一种铂扩石英舟,包括石英舟板和石英棒,石英棒通过插入石英舟板表面设置的定位孔与石英舟板可拆卸连接有利于提高装片及卸片效率,同时晶片采用堆叠式装舟,在石英舟板上装入晶片后插入石英棒,插入石英棒后进入前后无挡板遮挡,能改善气体流量的均匀性,为生产线提供均匀的恢复时间,增加生产效率,满足了生产需求,提高了产量,利用本装置进行铂扩生产其效果完全满足工艺要求。但是,现有技术中基本上多使用如上专利所述的小板舟载片,小板舟存在很多问题,比如硅片接触气流不顺畅、生产效率低、降温速度不均匀导致反向恢复时间离散等。
实用新型内容
本实用新型针对上述的扩散舟所存在的技术问题,提出一种设计合理、结构简单、气体流动效果较好,有利于提高二极管生产效率以及生产质量的一种金铂扩散舟。
为了达到上述目的,本实用新型采用的技术方案为,本实用新型提供的一种金铂扩散舟,包括舟底板和硅片固定件,所述舟底板的一端设置有挂孔,所述舟底板上设置有多组硅片固定件,所述硅片固定件包括两对顶头和两对分档杆,所述顶头的中心转动设置有螺柱,所述分档杆靠近舟底板的边缘设置,所述舟底板的一端设置有一对与舟底板垂直的舟头板,所述舟底板上设置有与舟底板、舟头板同时垂直连接的护板,所述护板上均匀分布有若干个散气孔,所述舟底板上介于一对舟头板之间设置有挂孔,所述舟底板上介于每对顶头之间设置有底孔,所述舟底板的底部均匀设置有若干个球状凸头。
作为优选,所述分档杆可拆卸设置在舟底板上,所述分档杆的底部设置有矩形的滑块,所述舟底板上设置有供滑块移动的长条形的调节孔,所述滑块与调节孔过渡配合。
作为优选,所述顶头呈圆台状。
与现有技术相比,本实用新型的优点和积极效果在于,
本实用新型提供的一种金铂扩散舟,利用舟底板上的硅片固定件可使整体具有层叠排舟和分段排舟两种排舟方式;同时,利用舟底板上的底孔、球状凸头以及护板上的散气孔可有效改善整体的气体流通效果,并且提高了硅片扩散质量;本装置的顶头支撑高度以及分档杆间距均可合理调整,利用率较高。本装置设计合理,结构简单,适合大规模推广。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作一简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造