[实用新型]一种磷硼扩散石英舟有效
申请号: | 202020639634.2 | 申请日: | 2020-04-24 |
公开(公告)号: | CN211507588U | 公开(公告)日: | 2020-09-15 |
发明(设计)人: | 魏兴政;程国军 | 申请(专利权)人: | 济南兰星电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
代理公司: | 济南誉琨知识产权代理事务所(普通合伙) 37278 | 代理人: | 庞庆芳 |
地址: | 250200 山东*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 扩散 石英 | ||
本实用新型提出一种磷硼扩散石英舟,包括舟底板,其特征在于,所述舟底板呈回字形,所述舟底板的中间设置有中空结构,所述舟底板的底面均匀设置有若干个球状凸起,所述舟底板的两端对称设置有两个与其垂直的挡板,所述挡板横跨在中空结构上方,所述挡板上设置有若干个散气孔,所述挡板的一侧设置有一对角形的支撑板,所述舟底板、挡板和支撑板均由耐高温材料制成。本实用新型通过采用回字形的舟底板以及球状凸起、散气孔的设计有效改善了扩散舟整体的气体流动效果,有利于提高硅片扩散质量。本实用新型设计合理、结构简单,适合大规模推广。
技术领域
本实用新型属于半导体器件生产设备技术领域,涉及扩散舟,尤其涉及一种磷硼扩散石英舟。
背景技术
半导体器件制作过程需要经过数十道工序,其中掺杂是制作半导体器件的核心工序,它对产品电性和良率起着决定性的作用,掺杂的方式很多,常见的有热扩散和离子注入,对于二极管芯片,通常采用热扩散方式进行掺杂。热扩散是将硅片排在扩散舟上,推入扩散炉管中,通过高温进行的,器件质量除了炉温、时间等因素的影响,还受到扩散舟的设计形状影响,扩散舟的形状主要影响硅片电性的均匀性。
目前扩散舟的设计一般使用板舟,板舟的弊端是舟底部不通气,扩散出来的硅片靠近舟底的部分电性差异较大,最终导致电性均匀性差,良率低。所以合理设计扩散舟的形状非常重要。
实用新型内容
本实用新型针对上述的扩散舟所存在的技术问题,提出一种设计合理、结构简单、气体流动效果好,有利于提高扩散质量的一种磷硼扩散石英舟。
为了达到上述目的,本实用新型采用的技术方案为,本实用新型提供的一种磷硼扩散石英舟,包括舟底板,所述舟底板呈回字形,所述舟底板的中间设置有中空结构,所述舟底板的底面均匀设置有若干个球状凸起,所述舟底板的两端对称设置有两个与其垂直的挡板,所述挡板横跨在中空结构上方,所述挡板上设置有若干个散气孔,所述挡板的一侧设置有一对角形的支撑板,所述舟底板、挡板和支撑板均由耐高温材料制成。
作为优选,所述舟底板的底部设置有环绕中空结构分布的沉槽。
作为优选,所述舟底板、挡板和支撑板均由石英玻璃材料制成。
作为优选,所述舟底板、挡板和支撑板均由碳化硅材料制成。
与现有技术相比,本实用新型的优点和积极效果在于,
1、本实用新型提供的一种磷硼扩散石英舟,通过采用回字形的舟底板以及球状凸起、散气孔的设计有效改善了扩散舟整体的气体流动效果,有利于提高硅片扩散质量。本实用新型设计合理、结构简单,适合大规模推广。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作一简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为实施例提供的一种磷硼扩散石英舟的主视图;
图2为实施例提供的一种磷硼扩散石英舟的俯视图;
图3为实施例提供的一种磷硼扩散石英舟的侧视图;
以上各图中,1、舟底板;2、球状凸起;3、挡板;4、散气孔;5、支撑板;6、沉槽;7、中空结构。
具体实施方式
为了能够更清楚地理解本实用新型的上述目的、特征和优点,下面结合附图和实施例对本实用新型做进一步说明。需要说明的是,在不冲突的情况下,本申请的实施例及实施例中的特征可以相互组合。为叙述方便,下文如出现“上”、“下”、“左”、“右”字样,仅表示与附图本身的上、下、左、右方向一致,并不对结构起限定作用。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造