[实用新型]可用于微转移的微元件及显示装置

权利要求书

1.一种可用于微转移的微元件，其特征在于，包括：

支撑衬底；

通过键合层键合形成于所述支撑衬底表面的发光结构，所述发光结构包括一未掺杂型半导体层及若干个间隔排布的LED芯粒；所述未掺杂型半导体层包括相对的第一表面及第二表面，各所述LED芯粒倒挂悬空于所述未掺杂型半导体层的第一表面且通过沟槽相互隔离，各所述LED芯粒包括外延层及位于所述外延层朝向所述支撑衬底一侧的第一电极和第二电极；所述键合层设置于所述支撑衬底的表面并嵌入所述沟槽与所述未掺杂型半导体层形成连接，且所述键合层与各所述LED芯粒具有空气间隙；所述未掺杂型半导体层的第二表面设有若干个图形化区域，所述图形化区域作为微转移工艺的锚锭。

2.根据权利要求1所述的可用于微转移的微元件，其特征在于，各所述LED芯粒包括覆盖外延层裸露区域的保护层，所述保护层沿所述外延层侧壁承接至所述未掺杂型半导体层的第一表面；

各所述图形化区域以相邻两个沟槽的交叉点为中心向邻近的倒装LED芯粒水平延伸，位于相邻LED芯粒之间的未掺杂型半导体层作为锚锭的链条。

3.根据权利要求2所述的可用于微转移的微元件，其特征在于，所述外延层包括沿所述未掺杂型半导体层第一表面依次堆叠的第一型半导体层、有源层和第二型半导体层，所述第二型半导体层背离所述有源层的一侧表面设有一透明导电层，所述第二电极层叠于所述透明导电层的部分表面；所述第一电极层叠于所述第一型半导体层的局部区域。

4.根据权利要求2所述的可用于微转移的微元件，其特征在于，相邻两个图形化区域的水平间距大于2um。

5.根据权利要求2或3或4所述的可用于微转移的微元件，其特征在于，所述保护层包括腐蚀截止层。

6.根据权利要求1所述的可用于微转移的微元件，其特征在于，所述未掺杂型半导体层的厚度范围为0.5um-2um，包括端点值。

7.根据权利要求1所述的可用于微转移的微元件，其特征在于，所述键合层为金属或硅胶或紫外胶或树脂的任意一种。

8.一种显示装置，其特征在于，通过对权利要求1-7任一项所述的微元件进行巨量转移而获得，其中，所述图形化区域作为微转移工艺的锚锭。