[实用新型]可用于微转移的微元件及显示装置

说明书

本实用新型提供了可用于微转移的微元件及显示装置，其各所述LED芯粒倒挂悬空于所述未掺杂型半导体层的第一表面且通过沟槽相互隔离，各所述LED芯粒包括外延层及位于所述外延层朝向所述支撑衬底一侧的第一电极和第二电极；所述键合层设置于所述支撑衬底的表面并嵌入所述沟槽与所述未掺杂型半导体层形成连接，且所述键合层与各所述LED芯粒具有空气间隙；所述未掺杂型半导体层的第二表面设有若干个图形化区域，所述图形化区域作为微转移工艺的锚锭，在后续的转移工艺时，使得转印设备仅需要拉断锚锭与LED芯粒的连接即可实现LED芯粒的转印；同时还可避免锚锭对所述倒装LED芯粒的遮光。

技术领域

本实用新型涉及发光二极管领域，尤其涉及一种可用于微转移的微元件及显示装置。

背景技术

微元件技术是指在衬底上以高密度集成的微小尺寸的元件阵列。目前，微间距发光二极管(Micro LED)技术逐渐成为研究热门，工业界期待有高品质的微元件产品进入市场。高品质微间距发光二极管产品会对市场上已有的诸如LCD/OLED的传统显示产品产生深刻影响。

在制造微元件的过程中，首先在施体基板上形成微元件，接着将微元件转移到接收基板上。接收基板例如是显示屏。在制造微元件过程中的一个困难在于：如何将微元件从施体基板上转移到接收基板上。为了实现微元件的巨量转移，目前很多厂商通过微印章转印技术，利用范德华力将微元件转移到电路板上，所以能够被转印的微元件结构至关重要。该结构关键点在与微元件处于悬空状态，与支撑衬底脱离，微元件通过锚锭结构与衬底进行绑定；然后通过机械力拉断锚锭结构实现微元件的巨量转移。

目前提出的被转印的微元件结构，锚锭结构主要包括以下方案：方案1、链条层位于微元件的出光面表面；方案2、链条层位于微元件的侧面；方案3、链条层位于微元件的底部；其结构示意图分别如说明书附图的图1、图2、图 3所示。

其中，方案一所示的锚锭结构设置会影响微元件的出光，同时，其链条层的平整度会直接影响拾取，且链条层如果破损容易对拾取头造成脏污。

方案二所示的锚锭结构，通常通过与PV(即保护层)一体化的设置，当拾取时链条层因受力断裂，容易引起器件侧壁的PV破裂，导致器件侧壁保护效果减弱，大大增加漏电的风险。

方案三所示的锚锭结构设置，由于链条层在器件表面，容易对器件表面造成污染，影响器件后续的键合。

有鉴于此，本发明人专门设计了一种可用于微转移的微元件及显示装置，本案由此产生。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种可用于微转移的微元件及显示装置，以解决现有技术中在微元件中制作锚锭结构所引发的问题。

为了实现上述目的，本实用新型采用的技术方案如下：

一种可用于微转移的微元件，包括：

支撑衬底；

通过键合层键合形成于所述支撑衬底表面的发光结构，所述发光结构包括一未掺杂型半导体层及若干个间隔排布的LED芯粒；所述未掺杂型半导体层包括相对的第一表面及第二表面，各所述LED芯粒倒挂悬空于所述未掺杂型半导体层的第一表面且通过沟槽相互隔离，各所述LED芯粒包括外延层及位于所述外延层朝向所述支撑衬底一侧的第一电极和第二电极；所述键合层设置于所述支撑衬底的表面并嵌入所述沟槽与所述未掺杂型半导体层形成连接，且所述键合层与各所述LED芯粒具有空气间隙；所述未掺杂型半导体层的第二表面设有若干个图形化区域，所述图形化区域作为微转移工艺的锚锭。

优选地，各所述LED芯粒包括覆盖外延层裸露区域的保护层，所述保护层沿所述外延层侧壁承接至所述未掺杂型半导体层的第一表面；各所述图形化区域以相邻两个沟槽的交叉点为中心向邻近的倒装LED芯粒水平延伸，位于相邻LED芯粒之间的未掺杂型半导体层作为链条。