[实用新型]一种LED结构有效
| 申请号： | 202020660111.6 | 申请日： | 2020-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN211480032U | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | 刘鉴明;柯志杰;谈江乔;黄青青;柯毅东 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 尹秀 |
| 地址： | 361100 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 led 结构 | ||
1.一种LED结构，其特征在于，包括：
第一衬底；
位于所述第一衬底第一侧的光感应结构，所述光感应结构包括第一组成部分和多个第二组成部分，所述第一组成部分垂直于所述第一衬底，且与所述第一衬底组合后形成的结构具有多个凹槽，所述第二组成部分位于所述凹槽内，由所述凹槽的侧壁的至少部分区域向所述凹槽的中心延伸形成；
位于所述第一衬底第一侧的LED阵列，所述LED阵列包括多个LED，所述LED位于所述凹槽内，与所述凹槽一一对应，通过所述第二组成部分固定在其对应的所述凹槽内；
其中，所述LED的电极朝向所述第一衬底，且所述LED的电极与所述第一衬底之间具有间隙。
2.根据权利要求1所述的LED结构，其特征在于，在所述LED至所述第一衬底方向上，所述第二组成部分的厚度小于所述第一组成部分的厚度。
3.根据权利要求2所述的LED结构，其特征在于，在所述LED至所述第一衬底方向上，所述第二组成部分的厚度取值范围为0.5μm～2μm，包括端点值。
4.根据权利要求1所述的LED结构，其特征在于，所述凹槽包括第一侧壁、第二侧壁、第三侧壁和第四侧壁，所述第二组成部分包括：
由所述第一侧壁的至少部分区域向所述凹槽的中心延伸形成的第一凸起；
由所述第二侧壁的至少部分区域向所述凹槽的中心延伸形成的第二凸起；
由所述第三侧壁的至少部分区域向所述凹槽的中心延伸形成的第三凸起；
由所述第四侧壁的至少部分区域向所述凹槽的中心延伸形成的第四凸起。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门乾照半导体科技有限公司，未经厦门乾照半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202020660111.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种党建演讲演示模型
- 下一篇：一种计算机信息处理装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
