[实用新型]一种LED结构

说明书

本申请实施例提供了一种LED结构，其第一衬底和LED阵列中的各LED通过光感应结构固定连接，光感应结构包括第一组成部分和多个第二组成部分，第一组成部分与第一衬底组合后形成的结构具有多个凹槽，第二组成部分由凹槽的侧壁的至少部分区域向凹槽的中心延伸形成，从而光感应结构既可以作为LED阵列与第一衬底之间的键合层，又可以作为LED阵列与第一衬底键合前，填充相邻LED之间缝隙的牺牲层，还可以作为后续抓取LED结构中各LED的链条图形层，简化了LED巨量转移过程中的工艺步骤，解决了键合层、牺牲层以及链条图形层采用不同材料时的材料不兼容问题，降低了LED巨量转移的成本和工艺难度。

技术领域

本申请涉及Micro-Led巨量转移技术领域，尤其涉及一种LED结构。

背景技术

Micro-Led技术，即LED微缩化和矩阵化技术，指的是在一个芯片上集成高密度、微小尺寸的LED阵列的技术，以将像素点的距离从毫米级降低至微米级。由于Micro-Led性能上表现优越，继承了无机LED的高亮度、高良率、高可靠性、体积小、寿命长等优势，在显示领域的应用越来越广泛。

具体的，在Micro-Led的制作过程中，巨量转移是Micro-Led实现产业化的主要瓶颈，如何解决这一技术难题，成为Micro-Led成本降低和量产的关键环节。

实用新型内容

有鉴于此，本申请实施例提供了一种LED结构，以降低了所述LED结构中LED巨量转移的工艺难度和成本。

为实现上述目的，本申请提供如下技术方案：

一种LED结构，包括：

第一衬底；

位于所述第一衬底第一侧的光感应结构，所述光感应结构包括第一组成部分和多个第二组成部分，所述第一组成部分垂直于所述第一衬底，且与所述第一衬底组合后形成的结构具有多个凹槽，所述第二组成部分位于所述凹槽内，由所述凹槽的侧壁的至少部分区域向所述凹槽的中心延伸形成；

位于所述第一衬底第一侧的LED阵列，所述LED阵列包括多个LED，所述LED位于所述凹槽内，与所述凹槽一一对应，通过所述第二组成部分固定在其对应的所述凹槽内；

其中，所述LED的电极朝向所述第一衬底，且所述LED的电极与所述第一衬底之间具有间隙。

可选的，在所述LED至所述第一衬底方向上，所述第二组成部分的厚度小于所述第一组成部分的厚度。

可选的，在所述LED至所述第一衬底方向上，所述第二组成部分的厚度取值范围为0.5μm～2μm，包括端点值。

可选的，所述凹槽包括第一侧壁、第二侧壁、第三侧壁和第四侧壁，所述第二组成部分包括：

由所述第一侧壁的至少部分区域向所述凹槽的中心延伸形成的第一凸起；

由所述第二侧壁的至少部分区域向所述凹槽的中心延伸形成的第二凸起；

由所述第三侧壁的至少部分区域向所述凹槽的中心延伸形成的第三凸起；

由所述第四侧壁的至少部分区域向所述凹槽的中心延伸形成的第四凸起。

与现有技术相比，上述技术方案具有以下优点：

本申请实施例所提供的LED结构中，所述第一衬底和所述LED阵列中的各LED通过所述光感应结构固定连接，从而使得LED结构制备过程中，所述光感应结构既可以作为所述LED阵列与所述第一衬底之间的键合层，又可以作为所述LED阵列与所述第一衬底键合前，填充相邻LED之间缝隙的牺牲层，从而简化了所述LED阵列的巨量转移过程中的工艺步骤，避免了所述键合层和牺牲层采用不同材料时的材料不兼容问题，降低了所述LED结构的工艺难度和成本。