[实用新型]具沉积层的封装结构有效
| 申请号： | 202020666930.1 | 申请日： | 2020-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN211700327U | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 陈宗庆 | 申请（专利权）人： | 扬州艾笛森光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/54 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 225000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沉积 封装 结构 | ||
1.一种具沉积层的封装结构，其特征在于，包含：
一支撑座，其内具有一凹槽；
一发光源，位于该支撑座的该凹槽中；以及
一低温沉积层，覆盖该发光源，且该低温沉积层为无机层。
2.根据权利要求1所述的具沉积层的封装结构，其特征在于，该低温沉积层直接接触该发光源的顶面与侧壁。
3.根据权利要求1所述的具沉积层的封装结构，其特征在于，该低温沉积层为氮化铝层或氧化铝层。
4.根据权利要求1所述的具沉积层的封装结构，其特征在于，该低温沉积层的厚度为1-10个原子级别的厚度或150-1000个原子级别的厚度。
5.根据权利要求1所述的具沉积层的封装结构，其特征在于，该低温沉积层共形地位于该发光源上。
6.根据权利要求1所述的具沉积层的封装结构，其特征在于，该凹槽具有一槽底与围绕该槽底的一侧壁，该发光源位于该凹槽的该槽底上，且该低温沉积层的一部分位于该凹槽的该侧壁与该发光源的侧壁之间。
7.根据权利要求6所述的具沉积层的封装结构，其特征在于，该低温沉积层直接接触该凹槽的该侧壁。
8.根据权利要求1所述的具沉积层的封装结构，其特征在于，该支撑座的顶面与该低温沉积层的顶面齐平，或低于该低温沉积层的顶面。
9.根据权利要求1所述的具沉积层的封装结构，其特征在于，该发光源的底面具有一电极，该支撑座的底面具有一电极，且该发光源的该电极电性连接该支撑座的该电极。
10.根据权利要求1所述的具沉积层的封装结构，其特征在于，该发光源为覆晶发光二极管，其包含紫外光短波发光二极管。
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