[实用新型]具沉积层的封装结构

说明书

一种具沉积层的封装结构包含支撑座、发光源与低温沉积层。支撑座其内具有凹槽。发光源位于支撑座的凹槽中。低温沉积层覆盖发光源，且低温沉积层为无机层。低温沉积层可作为发光源的保护层，可取代在传统支撑座上部设置玻璃盖板的设计。

技术领域

本揭露是有关一种具沉积层的封装结构。

背景技术

随着光学技术的蓬勃发展，有关紫外光LED封装结构被应用于许多领域，例如：紫外光固化、紫外光杀菌、紫外光医疗等领域，其中深紫外光(UVC)更被锁定为高效杀菌的光源主要选择。传统的深紫外光LED封装结构需要一个很高的支撑座，其原因是除了在支撑座的底板上设置发光源外，还需在支撑座的侧壁上部设置玻璃盖板，以保护其下方的发光源不受环境变化所影响。此外，玻璃盖板与发光源之间的空间需填入氮气、氩气等气体，造成组装上的不便。

如此一来，传统紫外光LED封装结构的高度高，易遮光，且因体积大而不利微小化设计。另外，支撑座与玻璃盖板的材料成本也难以降低。

实用新型内容

本实用新型的一技术态样为一种具沉积层的封装结构。

根据本实用新型一实施方式，一种具沉积层的封装结构包含支撑座、发光源与低温沉积层。支撑座其内具有凹槽。发光源位于支撑座的凹槽中。低温沉积层覆盖发光源，且低温沉积层为无机层。

在本实用新型一实施方式中，上述低温沉积层直接接触发光源的顶面与侧壁。

在本实用新型一实施方式中，上述低温沉积层为氮化铝层或氧化铝层。

在本实用新型一实施方式中，上述低温沉积层的厚度为1-10个原子级别的厚度或150-1000个原子级别的厚度。

在本实用新型一实施方式中，上述低温沉积层共形地位于发光源上。

在本实用新型一实施方式中，上述凹槽具有槽底与围绕槽底的侧壁，发光源位于凹槽的槽底上，且低温沉积层的一部分位于凹槽的侧壁与发光源之间。

在本实用新型一实施方式中，上述低温沉积层直接接触凹槽的侧壁。

在本实用新型一实施方式中，上述支撑座的顶面与低温沉积层的顶面齐平，或低于低温沉积层的顶面。

在本实用新型一实施方式中，上述发光源的底面具有电极，支撑座的底面具有电极，且发光源的电极电性连接支撑座的电极。

在本实用新型一实施方式中，上述发光源为覆晶发光二极管，其包含紫外光短波发光二极管(UVC LED)。

在本实用新型上述实施方式中，由于封装结构的发光源位于支撑座的凹槽中，且低温沉积层覆盖发光源，因此低温沉积层可作为发光源的保护层，可取代在传统支撑座上部设置玻璃盖板的设计。如此一来，支撑座的高度将不会受限于传统玻璃盖板的厚度与安装位置，可大幅降低支撑座的高度，避免遮光，且有利整体封装结构的微小化设计，并能节省支撑座的材料成本与省略传统设于支撑座上的玻璃盖板。此外，封装结构的低温沉积层与发光源之间不需填入额外的气体(如氮气、氩气)，可节省组装封装结构的制程成本。另外，封装结构的低温沉积层为无机层，可适用于紫外光短波发光二极管(UVC LED)的发光源，能广泛应用于各相关领域。

附图说明

图1绘示根据本实用新型一实施方式的具沉积层的封装结构的立体图；

图2绘示图1的封装结构沿线段2-2的剖面图；

图3绘示根据本实用新型一实施方式的具沉积层的封装结构的立体图；

图4绘示根据本实用新型一实施方式的具沉积层的封装结构的立体图。

【符号说明】

100…封装结构