[实用新型]一种用于晶圆与环形玻璃载板的蚀刻装置有效
申请号: | 202020669613.5 | 申请日: | 2020-04-27 |
公开(公告)号: | CN211629049U | 公开(公告)日: | 2020-10-02 |
发明(设计)人: | 严立巍;施放;李景贤 | 申请(专利权)人: | 绍兴同芯成集成电路有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人: | 王依 |
地址: | 312000 浙江省绍兴市越城区*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 环形 玻璃 蚀刻 装置 | ||
本实用新型公开了一种用于晶圆与环形玻璃载板的蚀刻装置,属于蚀刻设备领域。一种用于晶圆与环形玻璃载板的蚀刻装置,包括:底座;支撑盘,水平布置于所述底座上,并与所述底座转动连接,用于放置工件;夹具,固定安装在所述支撑盘上,用于夹紧所述工件;腐蚀液喷嘴,设置于所述工件的上方,用于向所述工件的加工表面喷洒腐蚀液;保护性流体喷头,所述布置于所述工件上方,用于向所述工件边缘喷射流体。与现有的蚀刻装置相比,本身申请的蚀刻装置专用于蚀刻环形的玻璃载板与晶圆,通过喷射流体保护边缘区域,并且能够控制边缘保护的宽度。
技术领域
本实用新型涉及蚀刻设备领域,具体涉及一种用于晶圆与环形玻璃载板的蚀刻装置。
背景技术
现随着IC芯片工艺技术的发展,晶圆直径逐步增大到300mm,晶圆在封装前的厚度越来越薄,为保证被加工对象的刚性/强度,降低碎片的风险,将晶圆与玻璃载板键合之后再进行后续的加工,已经成为半导体行业内的普遍做法。
由于使用中央薄化的玻璃载板搭载晶圆时,能够优化后续的晶圆加工工艺。为了得到中央薄、边缘厚环形玻璃载载板,需要通过蚀刻机对玻璃载板的表面进行蚀刻加工,但是目前现有技术中,没有专用于环形玻璃载板的蚀刻设备,并且现有的蚀刻装置无法较为精确地控制蚀刻区域的尺寸。
实用新型内容
针对现有技术的不足,本实用新型提出了一种用于晶圆与环形玻璃载板的蚀刻装置,专用于加工中央薄、边缘厚的环形玻璃载板,并且能控制环形玻璃载板环形部分的尺寸与形状的技术问题。
本实用新型的目的可以通过以下技术方案实现:
一种用于晶圆与环形玻璃载板的蚀刻装置,包括:
底座;
支撑盘,水平布置于所述底座上,并与所述底座转动连接,用于放置工件;
夹具,固定安装在所述支撑盘上,用于夹紧所述工件;
腐蚀液喷嘴,设置于所述工件的上方,用于向所述工件的加工表面喷洒腐蚀液;
保护性流体喷头,所述布置于所述工件上方,用于向所述工件边缘喷射流体。
进一步地,所述保护性流体喷头包括输液管道与多个喷头,多个所述喷头固定安装在所述输液管上,且沿着所述支撑盘的径向布置。
进一步地,所述支撑盘上开设有若干通孔。
进一步地,还包括清洗喷嘴,所述清洗喷嘴喷射流体,清洗和/或烘干所述工件。
进一步地,所述清洗喷嘴喷射的流体为纯水和/或氮气。
进一步地,所述喷头呈梳状。
进一步地,还包括环形托盘,所述环形托盘围绕所述支撑盘布置,其内环部低于所述工件的加工面,且其外沿高于所述工件的加工面。
进一步地,所述腐蚀液喷射的液体包括氢氟酸。
进一步地,所述保护性流体喷头喷射的流体为氮气或纯水。
附图说明
下面结合附图对本实用新型作进一步的说明。
图1为本申请蚀刻装置的立体结构示意图;
图2为本申请的蚀刻装置中的腐蚀液溢流示意图;
图3为本申请的一个实施例中的保护性流体喷头移动示意图;
图4为本申请的又一个实施例的多个多个保护性流体喷头布置示意图。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造