[实用新型]薄膜材料沉积反应装置和薄膜材料沉积反应系统

说明书

本实用新型公开一种薄膜材料沉积反应装置和薄膜材料沉积反应系统，其中，所述薄膜材料沉积反应装置包括：气体分布台，设有扩散槽，所述扩散槽的底壁设有供气孔，所述气体分布台用于对膜材表面进行原子层沉积；扩散板，设于所述扩散槽内，并与所述扩散槽的底壁围合形成扩散腔，所述扩散板开设有间隔设置的多个扩散孔，所述供气孔和多个所述扩散孔与所述扩散腔连通；所述扩散板对应所述供气孔成有集中供气区，多个所述扩散孔的分布密度从所述集中供气区向所述扩散板的边缘逐渐增大。本实用新型提出的薄膜材料沉积反应装置能够提升膜材表面沉积的原子沉积膜的均匀性。

技术领域

本实用新型涉及原子层沉积技术领域，特别涉及一种薄膜材料沉积反应装置和薄膜材料沉积反应系统。

背景技术

薄膜材料的沉积反应形式包括原子层沉积反应和化学气相沉积等，以薄膜材料的原子层沉积反应为例，原子层沉积是通过将气相的前驱体交替地通入反应容器，以在基体上化学吸附并反应而形成单原子沉积膜的一种技术。在原子层沉积过程中，新一层原子膜的化学反应是直接与之前一层原子膜相关联的，这种方式使每次反应只沉积一层原子层。

前驱体将以气态形式进入反应容器内，目前的前驱体主要通过集中供气的气嘴向反应容器内供应，进入反应容器内的前驱体需要经过较长的扩散过程才能与基体表面的各处接触。气嘴附近的前驱体浓度会明显高于远离气嘴处的前驱体浓度，越靠近气嘴的基体表面将越先接触到前驱体而发生原子层沉积反应，加上靠近气嘴处的前驱体浓度本来就偏高，这会导致靠近气嘴的基体表面沉积的原子层厚度较厚，而远离气嘴的基体表面所沉积的原子层厚度较薄，基体表面各处原子层沉积的厚度不够均匀。

上述内容仅用于辅助理解本申请的技术方案，并不代表承认上述内容是现有技术。

实用新型内容

本实用新型的主要目的是提出一种薄膜材料沉积反应装置，旨在提升膜材表面沉积的原子沉积膜的均匀性。

为实现上述目的，本实用新型提出了一种薄膜材料沉积反应装置，所述薄膜材料沉积反应装置包括：

气体分布台，设有扩散槽，所述扩散槽的底壁设有供气孔，所述气体分布台用于对膜材表面进行原子层沉积；

扩散板，设于所述扩散槽内，并与所述扩散槽的底壁围合形成扩散腔，所述扩散板开设有间隔设置的多个扩散孔，所述供气孔和多个所述扩散孔与所述扩散腔连通；所述扩散板对应所述供气孔成有集中供气区，多个所述扩散孔的分布密度从所述集中供气区向所述扩散板的边缘逐渐增大。

在本实用新型的一实施例中，多个所述扩散孔从所述集中供气区的中心向所述扩散板的边缘呈辐射状分布。

在本实用新型的一实施例中，多个所述扩散孔的中心可依次连线成一螺旋环形。

在本实用新型的一实施例中，所述扩散孔为圆形孔，多个所述扩散孔的孔径相同。

在本实用新型的一实施例中，所述扩散孔为圆形孔，所述扩散孔的孔径小于等于10毫米。

在本实用新型的一实施例中，任一所述扩散孔的形状为圆形、方形、腰形以及长条形中的一种。

在本实用新型的一实施例中，所述扩散孔的横截面积从靠近所述扩散槽底壁的一端至远离所述扩散槽底壁的一端逐渐减小。

在本实用新型的一实施例中，所述扩散槽的内壁呈锥形设置。

在本实用新型的一实施例中，所述薄膜材料沉积反应装置包括多个所述扩散板，多个所述扩散板从所述扩散槽的底壁至所述扩散槽的槽口依次间隔设置。

此外，本实用新型还提出一种薄膜材料沉积反应系统，所述薄膜材料沉积反应系统包括：

上述的薄膜材料沉积反应装置；和

供气装置，与所述供气孔连接，所述供气装置用于向所述扩散腔内供气。