[实用新型]一种子像素列及双栅结构阵列基板有效
申请号: | 202020677523.0 | 申请日: | 2020-04-28 |
公开(公告)号: | CN211529953U | 公开(公告)日: | 2020-09-18 |
发明(设计)人: | 于靖;陈海雷;李志荣;张泽鹏 | 申请(专利权)人: | 信利(仁寿)高端显示科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 李健威 |
地址: | 620500 四川省眉山*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 种子 像素 结构 阵列 | ||
1.一种子像素列,包括一数据线和两列子像素电极,各个子像素电极均通过对应的TFT开关与所述数据线连接,所述TFT开关具有栅极、源极和漏极,所述源极与所述数据线连接,所述漏极与对应的子像素电极连接;其特征在于,所述数据线沿列方向呈连续弓形走线以沿列方向形成多个容纳区域,一列子像素电极中的各个子像素电极及其TFT开关分布于对应的容纳区域内,另一列子像素电极中的各个子像素电极及其TFT开关分布于对应的容纳区域外;各个TFT开关中的漏极沿行方向的朝向相一致。
2.根据权利要求1所述的子像素列,其特征在于,所述数据线中的局部走线沿列方向,局部走线沿行方向。
3.根据权利要求1所述的子像素列,其特征在于,各个TFT开关均位于对应的子像素电极沿行方向的同一侧。
4.根据权利要求1所述的子像素列,其特征在于,与不同列子像素电极对应的TFT开关位于对应的子像素电极沿列方向的不同侧。
5.一种双栅结构阵列基板,其特征在于,包括多个权利要求1-4中任一所述的子像素列,各个子像素列沿行方向依次排列。
6.根据权利要求5所述的双栅结构阵列基板,其特征在于,还包括沿行方向的多条扫描线;所述TFT开关的栅极与对应的扫描线连接。
7.根据权利要求6所述的双栅结构阵列基板,其特征在于,相邻的两行子像素电极之间具有两条扫描线,同行相邻的两个子像素电极不共用同一扫描线。
8.根据权利要求5所述的双栅结构阵列基板,其特征在于,在同一行上,各条数据线的弓形朝向相一致。
9.根据权利要求8所述的双栅结构阵列基板,其特征在于,在同行相邻的两个子像素电极中,一个子像素电极位于对应的容纳区域内,另一个子像素电极位于对应的容纳区域外。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的