[实用新型]一种可控硅驱动电路及可控硅芯片

权利要求书

1.一种可控硅驱动电路，其特征在于，包括：可控硅器件、齐纳二极管以及二极管；

所述可控硅器件的控制极所述可控硅驱动电路的控制端，所述可控硅器件的第一电极作为所述可控硅驱动电路的输出端，所述可控硅器件的第二电极与所述齐纳二极管的阴极共接作为所述可控硅驱动电路的电源输入端，所述齐纳二极管的阳极与所述二极管的阴极共接作为所述可控硅驱动电路的补偿信号端，所述二极管的阳极作为所述可控硅驱动电路的接地端。

2.如权利要求1所述的可控硅驱动电路，其特征在于，所述可控硅驱动电路内还包括信号补偿电路，所述信号补偿电路设于所述补偿信号端与所述齐纳二极管的阳极之间。

3.如权利要求2所述的可控硅驱动电路，其特征在于，所述信号补偿电路包括第一电阻和第一电容；所述第一电容的第一端与所述齐纳二极管的阳极连接，所述第一电容的第二端与所述第一电阻的第一端连接，所述第一电阻的第二端与补偿信号端连接。

4.如权利要求1所述的可控硅驱动电路，其特征在于，所述可控硅器件为双向可控硅。

5.如权利要求1所述的可控硅驱动电路，其特征在于，所述可控硅器件的结构为全平面结构、单凸台结构以及双凸台结构中的任意一种。

6.如权利要求1所述的可控硅驱动电路，其特征在于，所述齐纳二极管包括基底，在所述基底中形成有阱区，在所述阱区中形成有掺杂类型不同的第一掺杂区和第二掺杂区，所述阱区、所述第一掺杂区和所述第二掺杂区暴露于所述基底的表面，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区横向排列并且所述第一掺杂区和所述第二掺杂区相接，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区的相接区域组成所述齐纳二极管的pn结。

7.如权利要求6所述的可控硅驱动电路，其特征在于，所述第一掺杂区包括第一掺杂本体区和与所述第一掺杂本体区横向相接的第一掺杂扩散区，所述第二掺杂区包括第二掺杂本体区和与所述第二掺杂本体区横向相接的第二掺杂扩散区；其中，所述第一掺杂扩散区和所述第二掺杂扩散区横向相接，并且所述第一掺杂扩散区和所述第二掺杂扩散区的相接区域组成所述齐纳二极管的pn结。

8.如权利要求1所述的可控硅驱动电路，其特征在于，所述齐纳二极管为温度补偿型齐纳二极管。

9.一种可控硅芯片，其特征在于，包括封装体以及如权利要求1-8任一项所述的可控硅驱动电路，所述可控硅驱动电路封装于所述封装体内。

10.如权利要求9所述的可控硅芯片，其特征在于，所述可控硅芯片包括主电极引脚、次电极引脚、控制引脚、虚拟接地引脚以及信号补偿引脚；其中，所述主电极引脚与所述可控硅驱动电路的输出端连接，所述次电极引脚与所述可控硅驱动电路的电源输入端连接，所述控制引脚与所述可控硅驱动电路的控制端连接，所述虚拟接地引脚与所述可控硅驱动电路的接地端连接，所述信号补偿引脚与所述可控硅驱动电路的补偿信号端连接。