[实用新型]一种可控硅驱动电路及可控硅芯片

说明书

本实用新型属于半导体器件技术领域，提供了一种可控硅驱动电路及可控硅芯片中，通过可控硅器件的控制极可控硅驱动电路的控制端，可控硅器件的第一电极作为可控硅驱动电路的输出端，可控硅器件的第二电极与齐纳二极管的阴极共接作为可控硅驱动电路的电源输入端，齐纳二极管的阳极与二极管的阴极共接作为可控硅驱动电路的补偿信号端，二极管的阳极作为可控硅驱动电路的接地端，从而提供一种自带直流功能的可控硅驱动电路，解决当前的可控硅器件功能单一的问题。

技术领域

本实用新型涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种可控硅驱动电路及可控硅芯片。

背景技术

可控硅(Silicon Controlled Rectifier，SCR)是一种大功率电器元件，也称晶闸管，具有体积小、效率高、寿命长等优点。目前的可控硅结构主要有全平面、单凸台、双凸台等，其优化方向主要在于降低高温漏电，提升电压变动率以及调节关断时的动态电流等。

然而，当前的可控硅器件整体上依然属于单一可控硅，其等效电路可由8个晶体管构成，存在功能单一的问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种可控硅驱动电路及可控硅芯片，旨在解决当前的可控硅器件功能单一的问题。

本实用新型提供的一种可控硅驱动电路，包括：可控硅器件、齐纳二极管以及二极管；所述可控硅器件的控制极所述可控硅驱动电路的控制端，所述可控硅器件的第一电极作为所述可控硅驱动电路的输出端，所述可控硅器件的第二电极与所述齐纳二极管的阴极共接作为可控硅驱动电路的电源输入端，所述齐纳二极管的阳极与所述二极管的阴极共接作为所述可控硅驱动电路的补偿信号端，所述二极管的阳极作为所述可控硅驱动电路的接地端。

可选的，所述可控硅驱动电路内还包括信号补偿电路，所述信号补偿电路设于所述补偿信号端与所述齐纳二极管的阳极之间。

可选的，所述信号补偿电路包括第一电阻和第一电容；所述第一电容的第一端与所述齐纳二极管的阳极连接，所述第一电容的第二端与所述第一电阻的第一端连接，所述第一电阻的第二端与补偿信号端连接。

可选的，所述可控硅器件为双向可控硅。

可选的，所述可控硅器件的结构为全平面结构、单凸台结构以及双凸台结构中的任意一种。

可选的，所述齐纳二极管包括基底，在所述基底中形成有阱区，在所述阱区中形成有掺杂类型不同的第一掺杂区和第二掺杂区，所述阱区、所述第一掺杂区和所述第二掺杂区暴露于所述基底的表面，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区横向排列并且所述第一掺杂区和所述第二掺杂区相接，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区的相接区域组成所述齐纳二极管的pn结。

可选的，所述第一掺杂区包括第一掺杂本体区和与所述第一掺杂本体区横向相接的第一掺杂扩散区，所述第二掺杂区包括第二掺杂本体区和与所述第二掺杂本体区横向相接的第二掺杂扩散区；其中，所述第一掺杂扩散区和所述第二掺杂扩散区横向相接，并且所述第一掺杂扩散区和所述第二掺杂扩散区的相接区域组成所述齐纳二极管的pn结。

可选的，所述齐纳二极管为温度补偿型齐纳二极管。

本申请实施例还提供了一种可控硅芯片，包括封装体以及如上述任一项所述的可控硅驱动电路，所述可控硅驱动电路封装于所述封装体内。

可选的，所述可控硅芯片包括主电极引脚、次电极引脚、控制引脚、虚拟接地引脚以及信号补偿引脚；其中，所述主电极引脚与所述可控硅驱动电路的输出端连接，所述次电极引脚与所述可控硅驱动电路的电源输入端连接，所述控制引脚与所述可控硅驱动电路的控制端连接，所述虚拟接地引脚与所述可控硅驱动电路的接地端连接，所述信号补偿引脚与所述可控硅驱动电路的补偿信号端连接。