[实用新型]一种铜靶材组件焊接结构及包含其的铜靶材组件

说明书

本实用新型提供一种铜靶材组件焊接结构及包含其的铜靶材组件，所述结构包括背板以及铜靶材，通过在背板和铜靶材上分别设置相适配的凹槽和凸台，并在凹槽面上设置端面螺纹，控制凸台与凹槽的配合间隙，能够进一步增加焊接面积，提高焊接结合率，针对焊接困难的铜靶材也能达到焊接率高的效果，最终提高铜靶材的合格率；利用所述焊接结构焊接得到的铜靶材组件在靶材溅射过程中铜靶材不易脱落，不会对芯片造成影响，具有较高的工业应用价值。

技术领域

本实用新型涉及溅射靶材技术领域，尤其涉及一种铜靶材组件焊接结构及包含其的铜靶材组件。

背景技术

溅射靶材是制造半导体芯片所必须的一种极其重要的关键材料，利用其制作器件的原理是采用物理气相沉积技术，用高压加速气态离子轰击靶材，使靶材的原子被溅射出来，以薄膜的形式沉积到硅片上，最终形成半导体芯片中复杂的配线结构。

溅射靶材具有金属镀膜的均匀性、可控性等诸多优势，被广泛应用于半导体领域。由于铜具有更高的电导率和更好的抗电迁移特性，目前铜靶材是真空镀膜行业溅射靶材中的一种，是高纯铜材料经过系列加工后的产品，具有特定的尺寸和形状高纯铜材料。由于高纯铜特别是超高纯铜具有许多优良的特性，已广泛应用于电子、通信、超导、航天等尖端领域。随着电子行业的飞速发展，对铜靶材的要求也在一步步增加。

但铜材料由于自身特性的原因，在铜靶材主体与背板焊接的过程中经常出现焊接结合率低的问题，现有技术对铜靶材的焊接温度以及热处理过程等进行了改进。

CN104694888A公开了一种高纯铜靶材的制备方法，所述方法主要包括：高纯铜靶材坯料在高温下进行塑性形变，冷却后进行压延变形制备得到高纯铜靶坯，最后对靶坯进行热处理，得到组织细小均匀的高纯铜靶材，所述方法制备得到的高纯铜靶材的晶粒细小，分布均匀，满足溅射的需要。

CN103510055A公开了一种高纯铜靶材的制备方法，所述方法包括：对纯铜锭进行预热，然后对预热过程中的高纯铜锭进行锻打并进行第一次热处理，然后对经第一次热处理后的高纯铜锭进行压延，形成铜板料并进行第二次热处理，形成铜靶材坯料，最后对铜靶材坯料进行机械加工，形成高纯铜靶材。

综上，现有针对铜靶材焊接的改进主要集中在焊接方法以及温度上，但针对靶材组件的焊接结构进行改进的研究较少。

因此，需要开发一种铜靶材与背板的焊接结构，从而提高最终焊接的结合率。

实用新型内容

鉴于现有技术中存在的问题，本实用新型提供一种铜靶材组件焊接结构，所述焊接结构通过通过在背板和铜靶材上分别设置相适配的凹槽和凸台，并在凹槽面上设置端面螺纹，控制凸台与凹槽的配合间隙，使凹槽与凸台对接，提高了焊接面积，并最终提高了铜靶材的合格率。

为达此目的，本实用新型采用以下技术方案：

第一方面，本实用新型提供一种铜靶材组件焊接结构，所述结构包括背板以及铜靶材；所述背板上设置与铜靶材焊接的第一焊接面，所述第一焊接面上设置有凹槽；所述铜靶材上设置有与背板焊接的第二焊接面，所述第二焊接面上设置有与所述凹槽相适配的凸台；所述凹槽底面上设置有端面螺纹；所述凹槽与凸台的焊接面间隙为0～0.1mm。

本实用新型提供的铜靶材组件焊接结构通过将凹槽设置在背板上，凸台设置在铜靶材上，二者相互适配，并严格控制凹槽与凸台的焊接面间隙，提高了焊接的强度以及焊接结合率，并进一步在凹槽底面上设置有端面螺纹，从而增加了焊接面积，更进一步优化了焊接效果。

本实用新型中凹槽与凸台的焊接面间隙为0～0.1mm，例如可以是0mm、 0.02mm、0.05mm、0.06mm、0.07mm、0.08mm、0.09mm或0.1mm等。