[实用新型]一种硅片吸取装置有效
申请号: | 202020691568.3 | 申请日: | 2020-04-29 |
公开(公告)号: | CN212062412U | 公开(公告)日: | 2020-12-01 |
发明(设计)人: | 丁治祥;沈晓琪;强嘉杰;李亚康 | 申请(专利权)人: | 无锡小强半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/68 |
代理公司: | 杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙) 33283 | 代理人: | 董世博 |
地址: | 214000 江苏省无锡*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 硅片 吸取 装置 | ||
1.一种硅片吸取装置,其特征在于:包括进气组件、固定组件和吸取组件,所述固定组件包括吸盘端板(404)、吸盘端块(416)以及连接吸盘端板(404)和吸盘端块(416)的连接杆(402),所述连接杆(402)将吸取组件与固定组件连接,所述吸取组件包括吸盘(403),所述吸盘(403)上固设有吸取槽(603),所述进气组件为吸取组件供气,所述吸取组件通过吸取槽(603)吸取硅片。
2.根据权利要求1所述的一种硅片吸取装置,其特征在于:所述进气组件包括吸盘安装板(401),所述吸盘安装板(401)内设置有开口朝下的通气腔,所述通气腔下侧与固定组件固设连接,所述通气腔与固定组件之间设置有密封圈,所述通气腔一侧连通设置有进气孔,所述进气孔连通设置有连管(400),所述连管(400)与外接真空设备连通,所述外接真空设备为进气组件供能,所述外接真空设备可设置为真空发生器或真空泵。
3.根据权利要求1所述的一种硅片吸取装置,其特征在于:所述固定组件包括设置于所述吸盘端板(404)和吸盘端块(416)上的连接杆腔(405),所述连接杆(402)贯穿连接杆腔(405)将吸盘端板(404)和吸盘端块(416)固设连接,所述吸取组件设置于连接杆(402)上。
4.根据权利要求1所述的一种硅片吸取装置,其特征在于:所述吸取组件由多组吸盘(403)紧密连接而成,所述吸盘(403)包括固定板(601)和吸取板(602),所述固定板(601)上固设有连接孔(600),所述连接孔(600)大小和位置与连接杆腔(405)相配,所述连接杆(402)通过贯穿连接孔(600)将吸取组件固设在固定组件上,每组所述吸盘(403)上的固定板(601)紧密贴合,两组所述吸取板(602)间形成有插槽,设备将硅片吸取进入插槽内。
5.根据权利要求1所述的一种硅片吸取装置,其特征在于:所述吸取组件还包括固设于一侧吸盘(403)上的通气槽(607),所述通气槽(607)向上贯穿固定板(601),所述通气槽(607)前侧连通设置有封腔(608),所述封腔(608)上固设有吸盘封板(606),所述通气槽(607)设置有通孔(604),另一侧的所述吸盘(403)设置有吸取槽(603),所述吸取槽(603)设置为圆环形结构,所述通孔(604)与吸取槽(603)连通且位于圆环内。
6.根据权利要求2所述的一种硅片吸取装置,其特征在于:所述吸盘安装板(401)下侧固设有凹台(406),所述凹台(406)设置为内凹型结构,包括水平设置的上边(411)和竖直设置的侧边(410),吸盘端块(416)上侧固设有凸台(407),所述凸台(407)为外凸型结构,包括水平设置的对边(412)和竖直设置的对侧边(413),所述侧边(410)与对侧边(413)相贴,所述上边(411)与对边(412)相贴,所述侧边(410)与对边(412)进行卡接,用于两者间安装和定位。
7.根据权利要求1所述的一种硅片吸取装置,其特征在于:所述吸盘端块(416)上固设有开口腔(415),连接杆腔(405)设置于开口腔(415)上,贯穿所述开口腔(415)上连接杆(402)的长度低于开口腔(415)深度,所述连接杆(402)位于开口腔(415)内。
8.根据权利要求4所述的一种硅片吸取装置,其特征在于:所述固定板(601)与吸取板(602)间连接设置有斜台(610),所述斜台(610)与固定板(601)和吸取板(602)所成角度为钝角,所述吸盘(403)设置为一体成型结构,所述吸取板(602)侧边设置有斜槽(605),所述斜槽(605)与吸取板(602)所成角度设置为钝角,对硅片的进入和离开插槽进行导向。
9.根据权利要求5所述的一种硅片吸取装置,其特征在于:所述吸盘封板(606)深度与封腔(608)深度一致,使所述吸盘封板(606)与所述吸盘(403) 处于同一平面。
10.根据权利要求1所述的一种硅片吸取装置,其特征在于:所述吸取组件还包括有真空过滤器,所述真空过滤器过滤空气中的杂质。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造