[实用新型]一种硅片吸取装置有效
申请号: | 202020691568.3 | 申请日: | 2020-04-29 |
公开(公告)号: | CN212062412U | 公开(公告)日: | 2020-12-01 |
发明(设计)人: | 丁治祥;沈晓琪;强嘉杰;李亚康 | 申请(专利权)人: | 无锡小强半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/68 |
代理公司: | 杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙) 33283 | 代理人: | 董世博 |
地址: | 214000 江苏省无锡*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 硅片 吸取 装置 | ||
本实用新型公开了一种硅片吸取装置,包括进气组件、固定组件和吸取组件,所述固定组件包括吸盘端板、吸盘端块以及连接吸盘端板和吸盘端块的连接杆,所述连接杆将吸取组件与固定组件连接,所述吸取组件包括吸盘,所述吸盘上固设有吸取槽,所述进气组件为吸取组件供气,所述吸取组件通过吸取槽吸取硅片,本实用新型在吸盘安装板设置内凹型结构的凹台,在吸盘端块设置外凸型结构凸台,两者通过凹台和凸台进行卡接,有利于两者的安装和定位,进一步提高了安装效率,同时在吸盘侧边设置斜槽,对硅片的进入和离开插槽进行导向,避免发生硅片破损,提高了工作质量,本实用新型通过采用真空设备对硅片进行吸取,降低了人力成本,提高了工作效率。
技术领域
本实用新型属于光伏领域,涉及一种硅片吸取装置。
背景技术
半导体或光伏材料广泛应用于电子、新能源等行业,半导体和光伏材料通常都需要经过加工处理才能够应用到产品上,CVD技术、扩散工艺或氧化工艺是其中的一种处理方式,其中CVD即化学气相沉积,CVD技术目前已经广泛用于半导体或光伏材料加工,常见的加工设备有PECVD、LPCVD、APCVD等,除了CVD 之外还有扩散工艺包括磷扩散、硼扩散等。目前行业内已有不少相关的设备,可以针对具体的加工需求来选择相应的设备进行加工,半导体或光伏材料的加工,通常是将片状材料送入炉中在一定温度和压力的条件下进行反应来实现。
在加工的过程中,将硅片成对的进行抓取,传统的抓取工艺,抓取效率低,容易造成硅片破损,此设备有效地解决了这种问题。
发明内容
本实用新型为了克服现有技术的不足,提供一种硅片吸取装置。
为了实现上述目的,本实用新型采用以下技术方案:一种硅片吸取装置,其特征在于:包括进气组件、固定组件和吸取组件,所述固定组件包括吸盘端板(404)、吸盘端块(416)以及连接吸盘端板(404)和吸盘端块(416)的连接杆(402),所述连接杆(402)将吸取组件与固定组件连接,所述吸取组件包括吸盘(403),所述吸盘(403)上固设有吸取槽(603),所述进气组件为吸取组件供气,所述吸取组件通过吸取槽(603)吸取硅片。
进一步的;所述进气组件包括吸盘安装板(401),所述吸盘安装板(401)内设置有开口朝下的通气腔,所述通气腔下侧与固定组件固设连接,所述通气腔与固定组件之间设置有密封圈,所述通气腔一侧连通设置有进气孔,所述进气孔连通设置有连管(400),所述连管(400)与外接真空设备连通,所述外接真空设备为进气组件供能,所述外接真空设备可设置为真空发生器或真空泵。
进一步的所述固定组件包括设置于所述吸盘端板(404)和吸盘端块(416)上的连接杆腔(405),所述连接杆(402)贯穿连接杆腔(405)将吸盘端板(404)和吸盘端块(416)固设连接,所述吸取组件设置于连接杆(402)上。
进一步的;所述吸取组件由多组吸盘(403)紧密连接而成,所述吸盘(403)包括固定板(601)和吸取板(602),所述固定板(601)上固设有连接孔(600),所述连接孔(600)大小和位置与连接杆腔(405)相配,所述连接杆(402)通过贯穿连接孔 (600)将吸取组件固设在固定组件上,每组所述吸盘(403)上的固定板(601)紧密贴合,两组所述吸取板(602)间形成有插槽,设备将硅片吸取进入插槽内。
进一步的;所述吸取组件还包括固设于一侧吸盘(403)上的通气槽(607),所述通气槽(607)向上贯穿固定板(601),所述通气槽(607)前侧连通设置有封腔 (608),所述封腔(608)上固设有吸盘封板(606),所述通气槽(607)设置有通孔 (604),另一侧的所述吸盘(403)设置有吸取槽(603),所述吸取槽(603)设置为圆环形结构,所述通孔(604)与吸取槽(603)连通且位于圆环内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造