[实用新型]导电薄膜的加工系统有效
| 申请号： | 202020700647.6 | 申请日： | 2020-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN212800543U | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 许兢睿 | 申请（专利权）人： | 星耀科技（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | C23C28/02 | 分类号： | C23C28/02;C23C14/56;C23C14/35;C23C14/14;C22C19/05;C22C19/03;C23C14/24;C25D7/06;C25D3/38;C25D17/00;H01B13/00 |
| 代理公司： | 深圳市远航专利商标事务所(普通合伙) 44276 | 代理人： | 田志远;田艺儿 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 导电 薄膜 加工 系统 | ||
1.一种导电薄膜的加工系统，其特征在于，包括：
第一真空磁控镀膜装置，用于在薄膜基材的表面形成磁控溅射合金层；
第二真空磁控镀膜装置，设置在第一真空磁控镀膜装置后方，用于在磁控溅射合金层的外表面形成第一金属镀层；
第二金属镀层成型装置，设置于第二真空磁控镀膜装置后方，用于在第一金属镀层的外表面形成第二金属镀层；
水镀装置，设置在第二金属镀层成型装置的后方，用于在第二金属镀层外表面形成增厚导电金属镀层。
2.根据权利要求1所述的导电薄膜的加工系统，其特征在于：所述的第二金属镀层成型装置由真空蒸镀装置和第三真空磁控镀膜装置构成；其中，
所述的真空蒸镀装置位于第二真空磁控镀膜装置后方，真空蒸镀装置用于在第一金属镀层上形成蒸镀金属层；
所述的第三真空磁控镀膜装置位于真空蒸镀装置的后方，第三真空磁控镀膜装置用于在蒸镀金属层上形成溅射层，以提高导电薄膜表面镀层的均匀性和致密性。
3.根据权利要求1所述的导电薄膜的加工系统，其特征在于：所述的第二金属镀层成型装置为双面往返连续真空镀膜装置。
4.根据权利要求1-3任一所述的导电薄膜的加工系统，其特征在于：所述的相邻的两个装置之间均设有物料转运装置，所述水镀装置后方还设置有分切装置。
5.根据权利要求1-3任一所述的导电薄膜的加工系统，其特征在于：所述第一金属镀层、第二金属镀层以及增厚导电金属镀层所镀金属均为铜，即所述第一金属镀层、第二金属镀层以及增厚导电金属镀层均为镀铜层。
6.根据权利要求5所述的导电薄膜的加工系统，其特征在于：所述水镀装置为酸性水镀装置或碱性水镀装置。
7.根据权利要求1所述的导电薄膜的加工系统，其特征在于：所述第一金属镀层的厚度为5-15nm；所述增厚导电金属镀层的厚度为600-950nm；所述第二金属镀层的厚度为10-100nm。
8.根据权利要求1所述的导电薄膜的加工系统，其特征在于：所述第一真空磁控镀膜装置和第二真空磁控镀膜装置可以为同一台磁控溅射镀膜装置。
9.根据权利要求2所述的导电薄膜的加工系统，其特征在于：所述第一真空磁控镀膜装置、第二真空磁控镀膜装置和第三真空磁控镀膜装置可以为同一台磁控溅射镀膜装置。
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