[实用新型]半导体存储器件

权利要求书

1.一种半导体存储器件，其特征在于，包括：

一半导体基板；

字线结构，位在所述半导体基板中并往第一方向延伸；

位线结构，位在所述字线结构之上并往第二方向延伸跨过所述字线结构；

间隔物结构，位在所述字线结构正上方并介于所述位线结构之间，其中所述间隔物结构具有一上半部位与一下半部位，所述上半部位的宽度大于所述下半部位，且所述间隔物结构的内部具有空洞；以及

存储节点接触件，位于所述位线结构与所述间隔物结构所界定出的空间中并与所述半导体基板连接。

2.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述间隔物结构的宽度从上而下渐缩。

3.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述间隔物结构的所述上半部位与所述下半部位的截面为不连续的。

4.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述间隔物结构的所述上半部位与所述下半部位中都具有所述空洞。

5.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述间隔物结构更包含一位于所述上半部位上的第三部位，所述第三部位的宽度小于所述上半部位的宽度。

6.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述间隔物结构与所述位线结构之间还具有一绝缘层。

7.如权利要求6所述的半导体存储器件，其中所述间隔物结构与所述字线之间还具有一栅极硬屏蔽层与所述绝缘层。

8.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述间隔物结构具有一外层与一内层，所述外层的材料为硅氮氧化物，所述内层的材料为硅氮化物。