[实用新型]基片处理装置有效
申请号: | 202020720543.1 | 申请日: | 2020-05-06 |
公开(公告)号: | CN212461607U | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
发明(设计)人: | 天野嘉文;相浦一博 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/306 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;徐飞跃 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
1.一种基片处理装置,其特征在于,包括:
能够保持基片的保持部;
喷嘴臂,其具有对所述基片的周缘部供给处理液的喷嘴;和
对位机构,其设置于所述喷嘴臂,用于使所述基片的位置与所述保持部中的所设定的位置对准。
2.如权利要求1所述的基片处理装置,其特征在于:
所述喷嘴臂设置有一对,
一对所述喷嘴臂分别具有所述对位机构,且以隔着所述保持部相对的方式配置。
3.如权利要求1或2所述的基片处理装置,其特征在于:
所述对位机构配置在比所述喷嘴靠上方的位置。
4.如权利要求1或2所述的基片处理装置,其特征在于:
俯视时,从所述喷嘴的排出口排出到所述基片上的处理液的排出位置位于所述基片的中心与所述对位机构之间。
5.如权利要求1或2所述的基片处理装置,其特征在于:
所述喷嘴具有:
设置于连接所述喷嘴臂的连接部与所述处理液的排出口之间的弯曲部;和
从所述弯曲部延伸至所述排出口的延伸部。
6.如权利要求5所述的基片处理装置,其特征在于:
所述喷嘴具有相对于所述延伸部可拆装的排出口部件。
7.如权利要求6所述的基片处理装置,其特征在于:
形成于所述排出口部件的流路比所述喷嘴中的形成于所述排出口部件以外的部位的流路细。
8.如权利要求1或2所述的基片处理装置,其特征在于:
还包括控制所述保持部、所述喷嘴臂和所述对位机构的控制部,
所述控制部,
在所述保持部位于上升位置时,通过使所述喷嘴臂在水平方向上移动来实施载置于所述保持部的所述基片的对位,
在所述保持部位于下降位置时,通过使所述喷嘴臂移动到处理位置来实施载置于所述保持部的所述基片的液处理。
9.如权利要求1或2所述的基片处理装置,其特征在于:
还包括控制所述保持部、所述喷嘴臂和所述对位机构的控制部,
所述控制部,
在所述喷嘴臂位于下降位置时,通过使所述喷嘴臂在水平方向上移动来实施载置于所述保持部的所述基片的对位,
在所述喷嘴臂位于上升位置时,通过使所述喷嘴臂移动到处理位置来实施载置于所述保持部的所述基片的液处理。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造