[实用新型]基片处理装置有效
| 申请号： | 202020720543.1 | 申请日： | 2020-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN212461607U | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 天野嘉文;相浦一博 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;徐飞跃 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 处理 装置 | ||
本实用新型提供基片处理装置和基片处理方法。本实用新型的一方式的基片处理装置包括保持部、喷嘴臂和对位机构。保持部保持基片。喷嘴臂具有对基片的周缘部供给处理液的喷嘴。对位机构设置于喷嘴臂，用于使基片的位置与保持部中的所设定的位置对准。本实用新型能够高精度地蚀刻基片的周缘部。
技术领域
本实用新型的实施方式涉及基片处理装置。
背景技术
一直以来，已知用处理液来对半导体晶片(以下，也称为晶片。) 等基片的周缘部进行蚀刻的技术(参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2013-168429号公报。
实用新型内容
实用新型要解决的技术问题
本实用新型提供一种能够高精度地蚀刻基片的周缘部的技术。
用于解决问题的技术手段
本实用新型的一方式的基片处理装置包括保持部、喷嘴臂和对位机构。保持部保持基片。喷嘴臂具有对所述基片的周缘部供给处理液的喷嘴。对位机构设置于所述喷嘴臂，用于使所述基片的位置与所述保持部中的所设定的位置对准。
实用新型效果
依照本实用新型，能够高精度地蚀刻基片的周缘部。
附图说明
图1是表示实施方式的基片处理装置的结构的示意图。
图2是表示实施方式的基片处理装置的结构的示意图。
图3是表示实施方式的喷嘴臂的结构的立体图。
图4是表示实施方式的喷嘴臂的结构的立体图。
图5是用于说明实施方式的对位机构的动作的图。
图6A是表示实施方式的基片处理的一步骤的示意图。
图6B是表示实施方式的基片处理的一步骤的示意图。
图6C是表示实施方式的基片处理的一步骤的示意图。
图6D是表示实施方式的基片处理的一步骤的示意图。
图6E是表示实施方式的基片处理的一步骤的示意图。
图6F是表示实施方式的基片处理的一步骤的示意图。
图7A是表示实施方式的变形例的基片处理的一步骤的示意图。
图7B是表示实施方式的变形例的基片处理的一步骤的示意图。
图7C是表示实施方式的变形例的基片处理的一步骤的示意图。
图7D是表示实施方式的变形例的基片处理的一步骤的示意图。
图7E是表示实施方式的变形例的基片处理的一步骤的示意图。
图7F是表示实施方式的变形例的基片处理的一步骤的示意图。
图8是表示实施方式的喷嘴的结构的立体图。
图9是表示实施方式的喷嘴头的结构的示意图。
图10是表示实施方式的喷嘴的内部结构的截面图。
图11是表示实施方式的基片处理装置执行的基片处理的顺序的流程图。
图12是表示实施方式的变形例的基片处理装置执行的基片处理的顺序的流程图。
附图标记说明
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
