[实用新型]一种晶圆清洗装置

说明书

本实用新型公开了一种晶圆清洗装置，主要解决现有半导体加工中，晶圆清洗不彻底，清洗效果不佳的问题。该清洗装置包括清洗筒，设置于清洗筒内的升降式的筛网，高于筛网最低位置拆卸式的侧向插设于清洗筒上的隔板，设置于清洗筒顶端与清洗筒拆卸式连接的盖板，设置于盖板上与筛网固定连接的升降机构，设置于盖板内侧的喷洗机构，与喷洗机构拆卸式连接的喷液注水装置，以及与清洗筒下部连通的充气装置。通过上述设计，本实用新型通过将晶圆在化学溶液中反复静置、气流液体清洗的方式，使晶圆附着的化学杂质通过充分的化学反应的方式进行清除，同时再经过二次离子水的冲洗，使晶圆上附着的化学溶液也得到清洗，这样使得晶圆的清洗更加彻底。

技术领域

本实用新型涉及半导体加工技术领域，具体地说，是涉及一种晶圆清洗装置。

背景技术

晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之IC产品。

在半导体制造工艺中，随着制程技术的不断升级，对晶圆表面平坦度的要求越来越高。而化学机械研磨技术可以实现晶圆表面全局的平坦化，在后续的加工工艺中，由于前道研磨工序会给晶圆表面带来玷污物质，这些玷污物质包括磨料颗粒如二氧化铈、氧化铝、胶状的二氧化硅颗粒以及添加至磨料中的表面活性剂、侵蚀剂和其他添加剂等残留物。化学机械研磨过程中使得这些颗粒在机械性的压力之下嵌入晶圆表面，为了避免降低器件的可靠性以及对器件引入缺陷，因此后续工序的清洗工艺变得更加重要和严格。现有的晶圆清洗装置多的采用也喷头喷出清洗的方式对晶圆进行清洗，虽然这样的方式具有较强的冲击力冲洗，但是这也使得清洗液在晶圆表面停留时间短，导致晶圆表面化学物质杂质仍有残留，清洗不彻底。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种晶圆清洗装置，主要解决现有半导体加工中，晶圆清洗不彻底，清洗效果不佳的问题。

为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案如下：

一种晶圆清洗装置，包括清洗筒，设置于清洗筒内的升降式的筛网，高于筛网最低位置拆卸式的侧向插设于清洗筒上的隔板，设置于清洗筒顶端与清洗筒拆卸式连接的盖板，设置于盖板上与筛网固定连接的升降机构，设置于盖板内侧的喷洗机构，与喷洗机构拆卸式连接的喷液注水装置，与隔板位置以上的清洗筒连通的废水回收装置，以及与清洗筒下部连通的充气装置。

进一步地，所述筛网最低位置的下方的清洗筒的侧壁上设置有进气口，所述充气装置通过一止回进气管与所述进气口连通。

进一步地，所述喷洗机构包括贯穿盖板设置的进水主管，铺设于盖板内侧与进水主管连通的多根喷液支管，以及设置于喷液支管上的若干冲洗喷头。

进一步地，所述喷液注水装置连接有一注水软管，所述注水软管的另一端与喷洗机构的进水主管拆卸式连接。

进一步地，所述升降机构包括设置于盖板顶端的升降气缸，以及与升降气缸相连并贯穿盖板设置的活塞杆；其中，所述活塞杆的另一端与筛网固定连接。

进一步地，所述清洗筒的底部设置有排水阀。

进一步地，所述清洗筒下端还设置有支架，所述支架下端设置有底座。

与现有技术相比，本实用新型具有以下有益效果：

(1)本实用新型通过设置筛网，在对晶圆进行清洗时，将盖板整体提升，在筛网上放置待清洗的晶圆，再盖上盖板，然后向清洗筒中加入没过筛网的化学清洗溶液，静置一段时间后，充气装置开始间隙性的向清洗筒中喷入惰性气体，气流液体扰动晶圆，使晶圆充分清洗，在化学溶液中清洗一段时间后，升降气缸将筛网整体向上提起并越过隔板的插设位置，此时，将插板从清洗筒侧面插设，在通过喷洗机构对晶圆附着的化学溶液进行清洗。这样的静置清洗加冲洗的双重清洗方式使得晶圆的清洗更加彻底，清洗效果更好，便于半导体的后序加工。