[实用新型]外延硅片预处理系统有效

专利信息
申请号: 202020747754.4 申请日: 2020-05-08
公开(公告)号: CN211605111U 公开(公告)日: 2020-09-29
发明(设计)人: 康宏;王作义;卞小玉;石广宁;何传奇 申请(专利权)人: 四川广瑞半导体有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67
代理公司: 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 代理人: 唐邦英
地址: 629000 四川省遂宁市国开*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 外延 硅片 预处理 系统
【权利要求书】:

1.外延硅片预处理系统,其特征在于,包括空气压缩机(1)、臭氧发生机(2)、鼓泡瓶(3)、流量计(4)和喷射装置(5);

所述空气压缩机(1)、臭氧发生机(2)、鼓泡瓶(3)通过第一进气管顺次连接,所述第一进气管的出口端插入鼓泡瓶(3)内水面以下;

所述鼓泡瓶(3)和喷射装置(5)通过排气管连接,所述排气管上设置有流量计(4),所述排气管的入口端在鼓泡瓶(3)内水面以上;

所述喷射装置(5)用于将臭氧喷射在外延硅片的表面,所述鼓泡瓶(3)内的水保持恒温。

2.根据权利要求1所述的外延硅片预处理系统,其特征在于,所述喷射装置(5)包括连接管(51),所述连接管(51)一端与喷射头(52)连通,另一端与排气管可拆卸式连接,所述喷射头(52)上均匀设置有若干喷射孔,所述喷射头(52)设置在载片台上方。

3.根据权利要求2所述的外延硅片预处理系统,其特征在于,所述连接管(51)排气管通过卡套连接。

4.根据权利要求2所述的外延硅片预处理系统,其特征在于,所述喷射头(52)为平板莲蓬式喷射头。

5.根据权利要求2所述的外延硅片预处理系统,其特征在于,所述喷射头(52)与连接管(51)通过卡套连接。

6.根据权利要求2所述的外延硅片预处理系统,其特征在于,所述喷射孔为锥形孔,所述锥形孔的内径自进气端到排气端呈逐渐增大的趋势。

7.根据权利要求1所述的外延硅片预处理系统,其特征在于,所述空气压缩机(1)设置有2个,其中一个通过第一进气管与臭氧发生机(2)连接,另一个通过第二进气管与鼓泡瓶(3)连接,所述第二进气管的出口端插入鼓泡瓶(3)内水面以下。

8.根据权利要求7所述的外延硅片预处理系统,其特征在于,所述鼓泡瓶(3)包括配套的瓶身和瓶盖,所述瓶盖设置有3个通孔,3个通孔分别与第一进气管、第二进气管和排气管配合,所述通孔与第一进气管、第二进气管和排气管之间通过橡胶塞密封。

9.根据权利要求1所述的外延硅片预处理系统,其特征在于,所述空气压缩机(1)设置有1个,输出压缩空气分成两路,其中一个通过第一进气管与臭氧发生机(2)连接,另一个通过第二进气管与鼓泡瓶(3)连接,所述第二进气管的出口端插入鼓泡瓶(3)内水面以下。

10.根据权利要求1-9任一项所述的外延硅片预处理系统,其特征在于,还包括恒温水浴装置,所述鼓泡瓶(3)置于恒温水浴装置内。

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