[实用新型]外延硅片预处理系统有效
申请号: | 202020747754.4 | 申请日: | 2020-05-08 |
公开(公告)号: | CN211605111U | 公开(公告)日: | 2020-09-29 |
发明(设计)人: | 康宏;王作义;卞小玉;石广宁;何传奇 | 申请(专利权)人: | 四川广瑞半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人: | 唐邦英 |
地址: | 629000 四川省遂宁市国开*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 外延 硅片 预处理 系统 | ||
1.外延硅片预处理系统,其特征在于,包括空气压缩机(1)、臭氧发生机(2)、鼓泡瓶(3)、流量计(4)和喷射装置(5);
所述空气压缩机(1)、臭氧发生机(2)、鼓泡瓶(3)通过第一进气管顺次连接,所述第一进气管的出口端插入鼓泡瓶(3)内水面以下;
所述鼓泡瓶(3)和喷射装置(5)通过排气管连接,所述排气管上设置有流量计(4),所述排气管的入口端在鼓泡瓶(3)内水面以上;
所述喷射装置(5)用于将臭氧喷射在外延硅片的表面,所述鼓泡瓶(3)内的水保持恒温。
2.根据权利要求1所述的外延硅片预处理系统,其特征在于,所述喷射装置(5)包括连接管(51),所述连接管(51)一端与喷射头(52)连通,另一端与排气管可拆卸式连接,所述喷射头(52)上均匀设置有若干喷射孔,所述喷射头(52)设置在载片台上方。
3.根据权利要求2所述的外延硅片预处理系统,其特征在于,所述连接管(51)排气管通过卡套连接。
4.根据权利要求2所述的外延硅片预处理系统,其特征在于,所述喷射头(52)为平板莲蓬式喷射头。
5.根据权利要求2所述的外延硅片预处理系统,其特征在于,所述喷射头(52)与连接管(51)通过卡套连接。
6.根据权利要求2所述的外延硅片预处理系统,其特征在于,所述喷射孔为锥形孔,所述锥形孔的内径自进气端到排气端呈逐渐增大的趋势。
7.根据权利要求1所述的外延硅片预处理系统,其特征在于,所述空气压缩机(1)设置有2个,其中一个通过第一进气管与臭氧发生机(2)连接,另一个通过第二进气管与鼓泡瓶(3)连接,所述第二进气管的出口端插入鼓泡瓶(3)内水面以下。
8.根据权利要求7所述的外延硅片预处理系统,其特征在于,所述鼓泡瓶(3)包括配套的瓶身和瓶盖,所述瓶盖设置有3个通孔,3个通孔分别与第一进气管、第二进气管和排气管配合,所述通孔与第一进气管、第二进气管和排气管之间通过橡胶塞密封。
9.根据权利要求1所述的外延硅片预处理系统,其特征在于,所述空气压缩机(1)设置有1个,输出压缩空气分成两路,其中一个通过第一进气管与臭氧发生机(2)连接,另一个通过第二进气管与鼓泡瓶(3)连接,所述第二进气管的出口端插入鼓泡瓶(3)内水面以下。
10.根据权利要求1-9任一项所述的外延硅片预处理系统,其特征在于,还包括恒温水浴装置,所述鼓泡瓶(3)置于恒温水浴装置内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造