[实用新型]外延硅片预处理系统

说明书

本实用新型公开了外延硅片预处理系统，包括空气压缩机、臭氧发生机、鼓泡瓶、流量计和喷射装置；所述空气压缩机、臭氧发生机、鼓泡瓶通过第一进气管顺次连接，所述第一进气管的出口端插入鼓泡瓶内水面以下；所述鼓泡瓶和喷射装置通过排气管连接，所述排气管上设置有流量计，所述排气管的入口端在鼓泡瓶内水面以上；所述喷射装置用于将臭氧喷射在外延硅片的表面，所述鼓泡瓶内的水保持恒温。本实用新型解决了采用双氧水浸泡方式导致操作难度大、工作量大问题。

技术领域

本实用新型涉及电子元器件制备技术领域，具体涉及外延硅片预处理系统。

背景技术

外延硅片主要应用在超大规模集成电路和分立器件。外延硅片一般使用CV法进行电阻率测试，测试前需要对外延硅片进行预处理。

目前，N型外延硅片的处理过程如下：

A、在HF溶液中漂洗；B、用DI水(去离子水)冲洗；C、在双氧水中处理，需要保持温度为80℃左右，浸泡10分钟；D、用DI水冲洗；E、用氮气气枪吹干。

P型外延硅片的处理过程如下：

A、在HF溶液中漂洗；B、用DI水(去离子水)冲洗；C、用氮气气枪吹干。

在对N型外延硅片的处理时，需要利用双氧水的强氧化作用形成钝化层，双氧水需要定期更换并且需要一直加热保持温度，操作过程需要穿戴防护护具，较为不便。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种新的外延硅片预处理系统，解决采用双氧水浸泡方式导致操作难度大、工作量大问题。

本实用新型通过下述技术方案实现：

外延硅片预处理系统，包括空气压缩机、臭氧发生机、鼓泡瓶、流量计和喷射装置；

所述空气压缩机、臭氧发生机、鼓泡瓶通过第一进气管顺次连接，所述第一进气管的出口端插入鼓泡瓶内水面以下；

所述鼓泡瓶和喷射装置通过排气管连接，所述排气管上设置有流量计，所述排气管的入口端在鼓泡瓶内水面以上；

所述喷射装置用于将臭氧喷射在外延硅片的表面，所述鼓泡瓶内的水保持恒温。

本实用新型所述空气压缩机、臭氧发生机、鼓泡瓶、流量计均采用现有技术，所述空气压缩机用于实现空气压缩，所述臭氧发生机用于发生臭氧，所述鼓泡瓶用于实现臭氧温度调节，所述流量计用于实现流量调节，所述鼓泡瓶的水为去离子水。

本实用新型的构思在于将现有技术组合，实现利于臭氧对外延硅片的钝化处理。

本实用新型利用空气压缩机和臭氧发生机产生臭氧，臭氧在鼓泡瓶内进行温度调节后由喷射装置均匀喷射在外延硅片的表面，利用臭氧的强氧化作用进行CV前处理，能够达到双氧水浸泡的同样效果，操作过程中无需穿戴防护用具，操作难度低且工作量少，如此，本实用新型解决了采用双氧水浸泡方式导致操作难度大、工作量大问题。

进一步地，喷射装置包括连接管，所述连接管一端与喷射头连通，另一端与排气管可拆卸式连接，所述喷射头上均匀设置有若干喷射孔，所述喷射头设置在载片台上方。

优选地，所述喷射头与载片台的间距为5-8mm，设置较小间距利于喷射，且载片台设置滑块上，由于喷射头与载片台的间距较小，通过滑块在滑槽内移动带动载片台转动，便于放置外延硅片。

进一步地，连接管排气管通过卡套连接。

进一步地，喷射头为平板莲蓬式喷射头，类似喇叭结构。

所述平板莲蓬式喷射头结构利于臭氧向外喷射。

进一步地，喷射头与连接管通过卡套连接。