[实用新型]发光芯片

权利要求书

1.一种发光芯片，其特征在于，所述发光芯片包括：

第一发光二极管子单元；

第二发光二极管子单元，设置在第一发光二极管子单元上；

第三发光二极管子单元，设置在第二发光二极管子单元上；

钝化层，设置在第三发光二极管子单元上；以及

第一连接电极，电连接到第一发光二极管子单元、第二发光二极管子单元和第三发光二极管子单元中的至少一个，

其中，第一连接电极和第三发光二极管子单元形成限定在第三发光二极管子单元的上表面与第一连接电极的内表面之间的小于80°的第一角度。

2.根据权利要求1所述的发光芯片，其特征在于，第一角度大于60°且小于70°。

3.根据权利要求1所述的发光芯片，其特征在于，钝化层与第三发光二极管子单元形成限定在第三发光二极管子单元的上表面与钝化层的内表面之间的小于80°的第二角度。

4.根据权利要求1所述的发光芯片，其特征在于，第一连接电极具有呈弯曲形状的至少一个表面。

5.根据权利要求4所述的发光芯片，其特征在于，

钝化层具有背离第三发光二极管子单元的顶表面和与顶表面相交的侧表面；并且

第一连接电极与钝化层的顶表面和侧表面中的每个的至少一部分接触。

6.根据权利要求5所述的发光芯片，其特征在于，第一连接电极与第一发光二极管子单元的顶表面的至少一部分接触。

7.根据权利要求1所述的发光芯片，其特征在于，在平面图中，第一连接电极与第一发光二极管子单元、第二发光二极管子单元和第三发光二极管子单元中的每个的至少一部分叠置。

8.根据权利要求1所述的发光芯片，其特征在于，钝化层的至少一部分被第一连接电极暴露。

9.根据权利要求1所述的发光芯片，其特征在于，钝化层暴露第一发光二极管子单元的侧表面的至少一部分。

10.根据权利要求1所述的发光芯片，其特征在于，钝化层覆盖第二发光二极管子单元的侧表面和第三发光二极管子单元的侧表面。

11.根据权利要求1所述的发光芯片，其特征在于，钝化层暴露第一发光二极管子单元的顶表面的至少一部分。

12.根据权利要求1所述的发光芯片，其特征在于，所述发光芯片还包括：

第二连接电极，电连接到第一发光二极管子单元；

第三连接电极，电连接到第二发光二极管子单元；以及

第四连接电极，电连接到第三发光二极管子单元，

其中：

第一连接电极电连接到第一发光二极管子单元、第二发光二极管子单元和第三发光二极管子单元中的每个；并且

第一连接电极、第二连接电极、第三连接电极和第四连接电极中的每个具有弯曲形状。

13.根据权利要求12所述的发光芯片，其特征在于：

第一连接电极、第二连接电极、第三连接电极和第四连接电极中的每个具有设置在钝化层的顶表面上的第一部分；并且

钝化层不设置在第一连接电极、第二连接电极、第三连接电极和第四连接电极中的至少一个的第一部分之间。

14.根据权利要求1所述的发光芯片，其特征在于，所述发光芯片还包括基底，

其中：

第一发光二极管子单元包括第一发光二极管发光堆叠件；

第二发光二极管子单元包括第二发光二极管发光堆叠件；

第三发光二极管子单元包括第三发光二极管发光堆叠件；并且

第一发光二极管发光堆叠件、第二发光二极管发光堆叠件和第三发光二极管发光堆叠件具有与基底叠置的依次越来越小的区域。