[实用新型]一种支持掉电数据随机化的FLASH仿真器

权利要求书

1.一种支持掉电数据随机化的FLASH仿真器，包括FLASH接口处理模块、数据通路选择模块、掉电数据随机化模块、擦写控制模块、读控制模块和存储器模块,其中：

FLASH接口处理模块，与FLASH控制器接口相连，实现FLASH控制器擦命令、写命令和读命令的接口信号处理功能；FLASH接口处理模块输出高压使能HV_EN信号，控制掉电数据随机化模块和数据通路选择模块；

数据通路选择模块，与FLASH接口处理模块、掉电数据随机化模块和读控制模块相连，实现擦写数据和读数据的通路控制功能；

掉电数据随机化模块，与数据通路选择模块、擦写控制模块和读控制模块相连，实现FLASH擦写期间掉电生成随机数据值功能，或擦写期间未掉电保持接口原擦写数据值功能；

擦写控制模块，与掉电数据随机化模块和存储器模块相连，实现FLASH擦写控制功能；

读控制模块，与存储器模块、掉电数据随机化模块和数据通路选择模块相连，读取接口读地址的存储器模块数据，或是读取当前擦写地址的存储器模块数据；

存储器模块，与擦写控制模块和读控制模块相连，实现数据的存储和读取功能。

2.根据权利要求1所述的一种支持掉电数据随机化的FLASH仿真器，其特征在于掉电数据随机化模块，包括：掉电检测模块、复位控制模块、擦写数据处理模块和随机数生成模块,其中

掉电检测模块，检测接口掉电PORn信号和高压使能HV_EN信号的状态，输出随机化使能FILL_EN信号，实现接口掉电检测和控制功能；

擦写数据处理模块，与随机数生成模块、擦写控制模块、读控制模块和数据通路选择模块相连，实现擦写数据的处理功能；

复位控制模块，在PORn信号和FILL_EN信号控制下，输出高压复位HV_RST信号，实现对擦写控制模块的复位控制功能；

随机数生成模块，与擦写数据处理模块相连，产生随机数。

3.根据权利要求1所述的一种支持掉电数据随机化的FLASH仿真器，其特征在于：所述的高压使能HV_EN信号，

当HV_EN信号为高电平时，表示当前正在进行FLASH擦写操作，掉电检测模块启动接口掉电检测功能，若检测到PORn信号发生掉电变为低电平，则掉电检测模块输出FILL_EN信号为高电平，启动数据随机化处理模块的掉电数据随机化功能产生随机化数据；若检测到PORn信号一直为高电平，则掉电检测模块输出FILL_EN信号为低电平，数据随机化处理模块的数据保持原数据值；

当HV_EN信号为低电平时，表示当前未进行FLASH擦写操作，掉电检测模块不启动掉电检测功能，且输出FILL_EN信号为低电平。

4.根据权利要求2所述的一种支持掉电数据随机化的FLASH仿真器，其特征在于：所述的高压复位HV_RST信号，

在FILL_EN信号为高电平期间，复位控制模块输出HV_RST信号为无效低电平，直到当前擦写操作完成后才变为有效高电平，复位擦写控制模块；在FILL_EN信号为低电平期间，复位控制模块输出的HV_RST信号与PORn信号同步变化。

5.根据权利要求1所述的一种支持掉电数据随机化的FLASH仿真器，其特征在于掉电数据随机化模块在写操作期间，按照“原数据位为1，写0时掉电，新数据位随机为1或0”原则产生随机数据。

6.根据权利要求1所述的一种支持掉电数据随机化的FLASH仿真器，其特征在于掉电数据随机化模块在擦操作期间，按照“原数据位为0，擦1时掉电，新数据位随机为0或1”原则产生随机数据。

7.根据权利要求1所述的一种支持掉电数据随机化的FLASH仿真器，其特征在于存储器模块中的存储介质，不限于FPGA中的BlockRAM，也包括片外SRAM存储介质。